要想得到大功率LED器件，就必須製備合適的大功率LED晶片。國際上通常的製造大功率LED晶片的方法有如下幾種：

①大尺寸法。通過增大單體LED的有效發光面積和尺寸，促使流經TCL層的電流均勻分佈，以達到預期的光通量。但是，簡單地增大發光面積無法解決散熱問題和出光問題，並不能達到預期的光通量和實際應用效果。

②矽底板倒裝法。首先製備出適合共晶焊接的大尺寸LED晶片，同時製備出相應尺寸的矽底板，並在矽底板上製作出供共晶焊接用的金導電層及引出導電層（超聲金絲球焊點），再利用共晶焊接設備將大尺寸LED晶片與矽底板焊接在一起。這樣的結構較為合理，既考慮了出光問題又考慮到了散熱問題，這是目前主流的大功率LED的生產方式。

美國Lumileds公司於2001年研製出了AlGaInN功率型倒裝晶片（FCLED）結構，其製造流程是：首先在外延片頂部的P型GaN上澱積厚度大於500A的NiAu層，用於歐姆接觸和背反射；再採用掩模選擇刻蝕掉P型層和多量子阱有源層，露出N型層；經澱積、刻蝕形成N型歐姆接觸層，晶片尺寸為1mm×1mm，P型歐姆接觸為正方形，N型歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴展距離，把擴展電阻降至最小；然後將金屬化凸點的AlGaInN晶片倒裝焊接在具有防靜電保護二極體（ESD）的矽載體上。

③陶瓷底板倒裝法。先利用LED晶片通用設備製備出具有適合共晶焊接電極結構的大出光面積的LED晶片和相應的陶瓷底板，並在陶瓷底板上製作出共晶焊接導電層及引出導電層，然後利用共晶焊接設備將大尺寸LED晶片與陶瓷底板焊接在一起。這樣的結構既考慮了出光問題也考慮到了散熱問題，並且採用的陶瓷底板為高導熱陶瓷板，散熱效果非常理想，價格又相對較低，所以為目前較為適宜的底板材料，並可為將來的積體電路一體化封裝預留空間。

④藍寶石襯底過渡法。按照傳統的InGaN晶片製造方法在藍寶石襯底上生長出PN結後，將藍寶石襯底切除，再連接上傳統的四元材料，製造出上下電極結構的大尺寸藍光LED晶片。

⑤AlGaInN碳化矽（SiC）背面出光法。美國Cree公司是全球唯一採用SiC襯底製造AlGaInN超高亮度LED的廠家，幾年來其生產的AlGaInN/SiCa晶片結構不斷改進，亮度不斷提高。由於P型和N型電極分別位於晶片的底部和頂部，採用單引線鍵合，相容性較好，使用方便，因而成為AlGaInNLED發展的另一主流產品。