晶元光電研發中心(EPISTAR LAB)發表IR 850nm高效率發光產品

晶元光電研發中心 (EPISTAR LAB) 技術團隊積極投入研發,近日成功開發並導入許多前瞻性技術,如新穎性透明導電薄膜 (TCO) 材料、複合式反射鏡結構、減少光線吸收之磊晶設計等。EPISTAR LAB 將相關技術導入後,有效地增加光子萃取效率,已大幅提升IR產品效能,創下多項新紀錄。 根據最新數據顯示(如圖表一) ,SFPN42晶片尺寸1x1mm²,實驗室環境中在操作電流40mA下,達最高光電轉換效率75%;操作電流350mA下WPE大於70%;1A操作電 流下.發光強度更是超越了1W,達輸出功率1027mW,領先各業界群雄,如此亮眼的水準使LED更趨於省電節能。

 

晶元光電秉持著實現LED無限可能之精神,持續致力於提升產品效能,目前IR 850nm產品的應用範圍除了以往的搖控器、開關等傳統應用之外,也包括保全監視、智能觸碰螢幕、無線通訊及交通系統等新應用,期望與客戶攜手將LED光 源推廣到更具潛力之市場上,並期許能協助客戶提昇競爭優勢。

RSS RSS     print 列印         announcements 線上投稿        
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。