隨著LED市場的成長，為了進一步提升LED 高效率發光且增加良率，LED基板的材料應用是製程當中的關鍵。在眾多的材料中，藍寶石(GaN-on-Sapphire)能否維持市場領導地位? GaN-on-Si基板在製程技術持續演進的同時，是否能克服良率問題，並進一步擴大市場佔有率? AIN、Ga2O3等新興材料能否異軍突起?

 

SEMI 「新型基板材料論壇」於2015年12月8日舉辦，邀請各界專家針對LED基板材料及技術發展做完整的剖析，包括LED基板材料市場概況、GaN基板於高功率元件的應用、單晶Ga2O3基板於高功率LED及功率元件的應用，及雷射光應用於GaN及SiC基板的缺陷檢測等精彩主題，期望能讓與會貴賓皆能藉此一次掌握全球LED基板材料市場之發展趨勢!

 

蘇州納維總裁 徐科先生指出，發光器件向高功率密度與高效率發展，進而實現更高的產品性價比、更低的系統成本。然而氮化物應用發展尚須要進一步解決技術難題，包含材料的位錯密度。HVPE 生長 GaN 的應力控制，可採用HVPE 結構微奈米結構調節應力。

 

Novel Crystal Technology CEO 與總裁 Akito Kuramata 先生提出Ga2O3 材料與應用特性，目前Ga2O3 可應用於高功率LED與功率元件 (Power Devices)。可採用EFG、FZ、CZ的長晶技術，目前主流則採用EFG長晶法，2吋基板已達量產階段，4吋基板則正在進行廠商驗證與送樣。

 

晶元光電李鎮宇處長提到Bulk GaN 技術應用上可用在RF、金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)、蕭特基/PN二極體等功率元件。 再者，GaN on GaN 的電流密度比GaN on Si 與Si功率元件至少大五到六倍，因此可以在更小尺寸元件下獲得相同輸出功率，進而發揮了GaN 的材料優勢。同時在總損失上，僅僅是 GaN on Si 的一半以下。晶電與交大實驗室完成了替代矽基材料的90W 電源交換器，在電路設計相同之下，可以清楚看到，使用GaN功率元件的電源交換器，其在體積減少了57%，在90W輸出功率的效率上提升了5.5%。