Exagan使用AIXTRON G5+C進行硅基氮化鎵功率開關器件 產能提升

全球領先的半導體行業沉積設備提供商 AIXTRON 愛思強股份有限公司(法蘭克福證券交易所:AIXG)向法國初創公司 Exagan 運送一台 AIX G5+C 系統,Exagan 是一家先進材料和高效率氮化鎵功率開關器件生產商,可顯著提升電力轉換器的性能和效率。Exagan 將利用 AIXTRON 愛思強的沉積設備初啟 產製作功率開關器件前期所需的硅基氮化鎵材料。 這家法國公司是全球創新半導體材料領導者 Soitec 和歐洲主要微型和納米技術研究機構 CEA-Leti的分拆公司。

 

AIX G5+C 行星式反應器系統是一個先進的外延生產平台。 該系統採用單一晶圓旋轉處理技術,並配備卡匣式晶圓裝片和 AIXTRON 愛思強的實時反應器清潔功能,可 產 5x200 毫米規格晶圓。
Exagan與其研發合作夥伴 CEA-Leti合作,通過其專有 G-Stack™製程技術評估系統能否實現嚴格一致的控制性和高產 後,決定選用 AIX G5+C 外延沉積設備。這項技術用於製作堆疊獨特的氮化鎵基材料,以支持 Exagan的 G-FET™高功率、超高效率晶體管的生產。隨著 Exagan提升其在格勒諾布爾的材料生產設施, AIXTRON 愛思強的設備加入連同 Soitec 的工業設和專業知識以及 CEA-Leti一流的 200毫米設備和表徵觀測工具的 Exagan供應鏈。

 

該設備的安裝標誌著 Exagan 與 CEA-Leti 進行戰略性合作、加速實現 Exagan 硅基氮化鎵整合目標的進程邁出了重要的一步。 而 Bpifrance通過 Investissements d'Avenir出資的「G-drive+」 研發項目,則為上述合作關係提供了有力支持。
Exagan 首席運營官兼聯合創始人 Fabrice Letertre 評論道: 「AIXTRON 愛思強與我們的母公司 CEA-Leti 在硅基氮化鎵技術方面有著長期良好的研發合作關係。 如今 Exagan 聯合 AIXTRON 愛思強繼續實現我們的工業化目標,利用外延技術達致我們的成本里程碑。 通過在 200毫米的硅基材上實現有效的硅基氮化鎵製程,我們的氮化鎵技術正往硅製造標準靠攏。 這使我們的 G-FET 產品成為太陽能、信息技術電子產品、連接和汽車市場上最具成本效益的寬能隙解決方案。」
AIXTRON 愛思強功率電子項目副總裁 Frank Wischmeyer 博士表示:「我們的 AIX G5+C 是目前為止唯一一個能實現硅產業常見的流程全自動化硅基氮化鎵 MOCVD的系統。 該系統在多晶圓規格的基礎上實現了最高的晶圓均勻性,具備最高的產出 和良率。 我們很高興能與
Exagan團隊合作為高效的功率電子應用 產 200毫米的硅基氮化鎵材料。」

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