三星砸150億美元 護盤OLED領先優勢

競爭對手急起直追,三星電子冒冷汗,將豪擲17兆韓圜(150億美元),研發3D NAND flash和OLED,鞏固領先優勢。

南韓先驅報29日報導,三星電子先前暗示,今年全年研 發費用為26兆韓圜,略高於去年的25.52兆韓圜。今年上半該公司用掉了8.8兆韓圜,意味還有17.2兆韓圜。這筆錢會用在哪邊?三星高層Lee Myung-jin給出方向,聲稱由於需求飆升,今年將專注於3D NAND和OLED面板。

據傳東芝(Toshiba)搶先研發出64層的3D NAND flash,並已送樣。三星是頭一個開發出3D NAND flash業者,目前仍是唯一有能力量產48層3D NAND flash的業者,為防對手搶單,今年三星將在南韓京畿道工廠增加更多產線。

OLED方面,三星電子也是中小型OLED面板的絕對霸主,市佔率接近97%,預料將砸下10兆韓圜,提升產能,為明年蘋果OLED訂單預作準備。三星計畫把OLED產量,從當前的每月6萬組,一年內拉升至7.5萬組。分析師估計,明年底前三星將投資15兆韓圜、發展OLED。

LG Display苦追,宣布將再砸2兆韓圜,投資小型OLED面板,希望2018年產線啟動時,能分到部分蘋果訂單。

南韓三星電子為全球第一家量產3D架構NAND型快閃記憶體(Flash Memory)的廠商,不過最大競爭對手東芝追趕速度驚人,宣布已領先全球同業、研發出堆疊64層的3D Flash產品,且開始進行送樣。

東芝27日發布新聞稿宣布,已研發出堆疊64層的3D Flash製程技術,並自今日起領先全球同業開始進行樣品出貨,且預計將透過甫於7月完工的四日市工廠「新第2廠房」進行生產。

韓媒etnews、BusinessKorea報導,NAND flash獲利較高,SK海力士也積極搶攻,今年下半將投資3兆韓圜,主要用於研發3D NAND flash,估計明年研發經費也有30~35%用於NAND,目標明年底3D NAND flash產出佔整體NAND的50%以上。

MoneyDJ新聞27日報導,紫光集團預計於武漢成立長江存儲科技,未來將納入武漢新芯並統籌旗下記憶體發展項目,目前整體規劃朝NAND Flash產業發展。

現階段武漢新芯在NAND Flash的布局領先其他中國記憶體業者,與飛索半導體合作開發的3D-NAND Flash技術正持續往32層堆疊的初期量產目標邁進,今年3月也在大基金的支持下興建新3D-NAND Flash廠,預計2018年上半年實現量產目標。

 

本文由嘉實資訊 MoneyDJ 授權使用

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