從LED工作原理可知，晶圓材料是LED的核心部分，事實上，LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數基本上取決於晶圓材料。晶圓技術與設備是 晶圓製造技術的關鍵所在，金屬有機物化學氣相澱積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱MOCVD)技術生長III-V族，II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。下面是關於LED未來晶圓技術的一些發展 趨勢。

目前商業化生產採用的是兩步生長製程，但一次可裝入襯底數有限，6片機比較成熟，20片左右的機台還在成熟中，片數較多後導致晶圓均勻性不夠。