璦司柏發表薄膜氮化鋁(AlN)陶瓷基板

台廠璦司柏電子日前表示,該公司利用黃光微影與電鍍/化學鍍沉積製程開發,並於400℃以下的低溫製程備製線路設計與加工,解決了現有氮化鋁基板厚膜製程,在信賴性不足與附著性不佳等方面的問題。

至於在材料優勢方面,這種基板的熱傳導係數為170~230W/m.K,厚度薄且尺寸小,能夠抗腐蝕。材料本身不包含有害物質,具備穩定的物理特性。

璦司柏指出,AlN陶瓷基板應用範圍包括LED基板、LED散熱基板、HCPV散熱基板、LED Sub-mount 材料、LED封裝用散熱板等環境使用。

薄膜氮化鋁(AlN)陶瓷基板 (1)

薄膜氮化鋁陶瓷基板的優勢:

無須高溫燒結,無氧化物生成,金屬線路附著性佳
表面平整度高<0.3μm。
線路精準度高,誤差值低於+/- 1%
對位置精準度高
低溫製程,降低高溫對材料的破壞
信賴性特性佳
鍍層材料穩定度高

薄膜氮化鋁(AlN)陶瓷基板 (2)

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