碳化矽(SiC)又稱金鋼砂或耐火砂。碳化矽是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化矽時需要加食鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。碳化矽主要分為黑色碳化矽和綠色碳化矽兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。其中：黑碳化矽是以石英砂，石油焦和優質矽石為主要原料，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介於剛玉和金剛石之間，機械強度高於剛玉，性脆而鋒利。綠碳化矽是以石油焦和優質矽石為主要原料，添加食鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介於剛玉和金剛石之間，機械強度高於剛玉。 碳化矽的硬度很大，具有優良的導熱和導電性能，高溫時能抗氧化。可以作為磨料，可用來做磨具，如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。還可以作為冶金去氧劑和耐高溫材料。碳化矽主要有四大應用領域，即: 功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。並且高純度的單晶，可用於製造半導體、製造碳化矽纖維。碳化矽(SiC)由於其獨特的物理及電子特性，在一些應用上成為最佳的半導體材料: 短波長光電元件，高溫，抗幅射以及高頻大功率元件。主要優勢如下： 1. 寬能級(eV)
4H-SiC: 3.26 6H-Sic: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12 .. 閱讀全文

為了提高LED晶片的出光效率，人們想了許多辦法。比如，當前市場上出現了許多亮度較高的ITO晶片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作為P型電極晶片的亮度要比採用通用電極的晶片高20％－30％。
ITO是英文Indium Tin Oxides的縮寫，意思是「氧化銦錫」。與其他透明的半導體導電薄膜相比，ITO具有良好的化學穩定性和熱穩定性。對襯底具有良好的附著性和圖形加工特性。 ITO為一種N型氧化物半導體，作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射，紫外線及遠紅外線。因此，噴塗在玻璃，塑膠及電子顯示幕上後，在增強導電性和透明性的同時切斷對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。ITO透明導電膜是平面顯示器上重要之組件，其特性會與鍍膜製程中的參數及材料有密切的關係。 在眾多可作為透明電極的材料中，ITO(Indium Tin Oxide)是被最廣泛應用的一種，ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜,通常有兩個性能指標:電阻率和透光率。主要是由於ITO可同時具有低電阻率及高光穿透率的特性，符合了導電性及透光性良好的要求。在氧化物導電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率最高和導電性能最好，而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形。 .. 閱讀全文

GaN是極穩定、堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。它在一個無胞中有4個原子，原子體積大約為GaAs的一半。是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，並與SiC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之後的第三代半導體材料。因其硬度高，又是一種良好的塗層保護材料。下面我們來瞭解下GaN的化學特性、電學特性和光學特性。 1、GaN的化學特性
在室溫下，GaN不溶於水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕品質差的GaN，可用於這些品質不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。
 
2、GaN的電學特性 .. 閱讀全文

光阻，亦稱為光阻劑，是一個用在許多工業制程上的光敏材料。像是光刻技術，可以在材料表面刻上一個圖案的被覆層。 光阻有兩種，正向光阻(positive photoresist)和負向光阻(negative photoresist)
正向光阻是光阻的一種，其照到光的部分會溶於光阻顯影液，而沒有照到光的部份不會溶於光阻顯影液。 負向光阻是光阻的一種，其照到光的部分不會溶於光阻顯影液，而沒有照到光的部份會溶於光阻顯影液。 正型光阻劑及負型光阻劑主要是應用在LED晶粒製造的金屬電極蒸鍍Lift-off制程中，由於LED電極所使用的金屬材料不易經由蝕刻的方式製作電路圖形，所以利用拔起（Lift-off）微影制程，得到突起的（Overhang）光阻圖形，使金屬在蒸鍍過程中不會連續性滿布在光阻劑上，再用去光阻劑的方式將未遭金屬布蓋的光阻部份拔起，完成金屬電極的圖案。 半導體制程常用的正型光阻劑，在光學曝光方式下，光阻劑上層接受能量較下層光阻高，使得正型光阻劑成像大部份圖形為上窄下寬，無法經一次曝光方式即得到Overhang的圖形，而負型光阻劑的成像恰好與正型光阻劑圖像相反，所以負型光阻劑是lift-off制程的最佳選擇。

InN材料在光電子領域有著非常重要的應用價值，InN是性能優良的半導體材料。InN的禁帶寬度也許是0.7eV左右，而不是先前普遍接受的1.9eV，所以通過調節合金組分可以獲得從0.6eV（InN）到6.2eV（AlN）的連續可調直接帶隙，這樣利用單一體系的材料就可以製備覆蓋從近紅外到深紫外光譜範圍的光電元件。因此，InN有望成為長波長半導體光電器件、全彩顯示、高效率太陽能電池的優良半導體材料。 一、製造InN薄膜目前存在的難題
製備高品質的InN體單晶材料和外延薄膜單晶材料是研究和開發InN材料應用的前提。但是，製造InN薄膜有兩大困難。 一是InN材料的離解溫度較低，在600 ℃左右就分解了，這就要求在低溫生長下InN ,而作為氮源的NH3的分解溫度較高，要求1000℃左右，這是InN生長的一對矛盾，因此採用一般的方法很難製備單晶體材料，目前製造InN薄膜最常用的方法是MBE、HVPE、磁控濺射、MOCVD技術。 .. 閱讀全文

LED螢光粉配膠程序是LED製程中，相當基礎的一環，我們來看看是怎麼做的。 準備工作：
1、開啟並檢查所有的LED生產使用設備（烤箱、精密電子稱、真空箱）
2、用丙酮清洗配膠所用的小燒杯。
3、準備所需的量產規格書或相應的聯絡單，及相應型號膠水等並確認其都在有效的使用期內。 開始配膠：
1、配膠順序說明：增亮劑+A膠按比例混合（可以按訂單一次性配好），最後再加入 螢光粉+ B膠按比例混合物體（須攪拌均勻）。在後再抽真空。
2、根據《量產規格書》或工程通知單中螢光粉配比和生產數量，計算出各種物料所需的重量。
3、調整精密電子稱 四個底座使電子稱呈水準狀態。
4、將乾淨的小燒杯放置於精密的電子磅秤上， 歸零後，根據量產規格書中螢光粉的配比，分別稱取所需重量的螢光粉和A、B膠。
5、將配好的螢光粉手動攪拌20分鐘至30分鐘不等，直到螢光粉分佈均勻為止。
6、把配好的螢光膠抽真空至看不見氣泡的狀態，取出後，放在室溫下用乾淨的玻璃蓋上使用，使用前需按同一方向緩慢攪拌2分鐘到3分鐘，攪拌速度每轉2秒至3秒。

螢光粉在LED製造過程起著至關重要的作用。使用綠色螢光粉配合黃色螢光粉和藍色LED晶片，可獲得高亮度白光LED；若使用綠色螢光粉配合藍光LED晶片，可以直接獲得綠光；若使用綠色螢光粉配合黃色螢光粉與藍色LED晶片，可以獲得冷色調白光；綠色螢光粉也可配合紅色螢光粉與藍色LED晶片而獲得白光。白光LED的顯色指數（CRI）與藍光晶片、YAG螢光粉、相關色溫等有關，其中最重要的是YAG粉，不同色溫區的LED，用的粉及藍光晶片不一樣。目標色溫越低的管子用的粉發射峰值要越長，晶片的峰值也要長，低於4000K色溫，還要另外加入發紅光的粉，以彌補紅成分的不足，達到提高顯色指數的目的，在保持的晶片及粉不變的條件下，色溫越高顯色指數越高。 .. 閱讀全文

LED產品材料簡表，以下是相關的材料性質與內容。       .. 閱讀全文

一、LED發光材料 1.LED發光管（或稱單燈）：
發光二極管的簡稱（Light Emitting Diode）。在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多餘的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉换為光能。PN結加反向電壓，少數載流子難以注入，故不發光。這種利用注入式電致發光原理制作的二極管叫發光二極管，通稱LED。LED工作電壓低（僅1.5V-3V），能主動發光且有一定亮度，亮度又能用電壓（或電流）調節，本身又耐衝撃、抗振動、夀命長（10 萬小時），所以在大型的顯示設備中，目前尚無其他的顯示方式與LED顯示方式匹敵。 2. LED模塊：
由若乾晶片構成發光矩陣，用環氧樹脂封裝於塑料殻内，常用的為8X8點陣模塊。 3.LED集束管：
為提高亮度，增加視距，將兩只以上至數十個LED晶粒整合封裝成一個集束管，作為一個像素。這種LED集束管主要用於制作間距較大的户外屏，又稱為像素筒。 4.表面黏著型（貼片式）LED發光燈（或稱SMD LED）：
就是LED發光燈的貼焊形式的封裝，可用在户内全彩色顯示螢幕，可實現單點維護，有效克服馬賽克現象。 .. 閱讀全文

白光LED光源照明具有綠色環保、壽命超長、節能、體積小、重量輕、回應快、工作電壓低及安全性好的特點，因此被稱為繼白熾燈、日光燈和節能燈之後的21世紀綠色照明光源。讓LED發出白光是有多種方式的，目前廣泛應用並已實現產業化的方式是在LED晶片上塗敷螢光粉而實現發射白光。 由於LED採用螢光粉實現白光的三種方法，在技術上並沒有完全成熟，所以嚴重地限制了白光LED在照明領域的普及應用。 第一種方案是由全球最大LED廠日本的日亞化公司（Nichia）所壟斷的，即在藍色LED晶片上塗敷能被藍光激發的黃色螢光粉，原理是通過晶片發出的藍光與螢光粉發出的黃光互補形成白光。不過，這種方案的一個原理性的缺點就是該螢光體中Ce3+離子的發射光譜不具連續光譜特性，因此，顯色性較差、發光效率不夠高，難以滿足低色溫照明的需求，要想解決這個問題必須通過開發新型的高效螢光粉來改善。 第二種方案是在藍色LED晶片上塗覆綠色和紅色螢光粉，其原理是通過晶片發出的藍光與螢光粉發出的綠光和紅光複合得到白光，這樣顯色性就比較好。缺點就是這個方案所用的螢光粉有效轉換效率低，只有提高紅色螢光粉的效率才能得到改善。 .. 閱讀全文