LED材料

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Kallex研發LED散熱領域的散熱塗料

凱樂士(Kallex)公司以碳化矽為材料,積極研發運用於LED散熱領域的散熱塗料,現已進入測試階段。目前已有廠商下單,未來將積極搶進LED散熱市場。 在LED材料及封..... 閱讀全文
與普通硅酸鹽類綠色螢光材料相比,具有溫度上升時發光強度下降較小的特點。日本電氣化學工業使β-SiAlON綠色螢光材料達到了實用水平,可用於在藍色LED上組合使用綠..... 閱讀全文
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5月26日,日廠Dow Corning公司發佈新聞稿指出,為了滿足亞洲客戶所需,Dow Corning已在韓國Jincheon設立一座專門生產LED用矽膠的工廠。新聞稿中表示,Jincheon廠生..... 閱讀全文
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LED碳化矽襯底基礎概要

碳化矽(SiC)又稱金鋼砂或耐火砂。碳化矽是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化矽時需要加食鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。碳化矽主要分為黑色碳化矽和綠色碳化矽兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。其中:黑碳化矽是以石英砂,石油焦和優質矽石為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介於剛玉和金剛石之間,機械強度高於剛玉,性脆而鋒利。綠碳化矽是以石油焦和優質矽石為主要原料,添加食鹽作為添加劑,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介於剛玉和金剛石之間,機械強度高於剛玉。 碳化矽的硬度很大,具有優良的導熱和導電性能,高溫時能抗氧化。可以作為磨料,可用來做磨具,如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。還可以作為冶金去氧劑和耐高溫材料。碳化矽主要有四大應用領域,即: 功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。並且高純度的單晶,可用於製造半導體、製造碳化矽纖維。碳化矽(SiC)由於其獨特的物理及電子特性,在一些應用上成為最佳的半導體材料: 短波長光電元件,高溫,抗幅射以及高頻大功率元件。主要優勢如下: 1. 寬能級(eV)
4H-SiC: 3.26 6H-Sic: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12 .. 閱讀全文
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淺談影響LED元件熱阻的因素

熱阻(thermal resistance),是物體對熱量傳導的阻礙效果。熱阻的單位為℃/W,即物體持續傳熱功率為1W時,導熱路徑兩端的溫差。LED的熱阻是指LED點亮後,熱量傳導穩定時,晶片表面每1W耗散,PN結點的溫外與連線的支加或散熱基板之間的溫度差就是LED的熱阻Rth。熱阻值一般常用θ或是R表示,其中Tj為接面位置的溫度,Tx為熱傳到某點位置的溫度,P為匯入的發熱功率。熱阻大表示熱不容易傳遞,因此套件所產生的溫度就比對高,由熱阻可以判斷及預測套件的發熱狀況。℃/W數值越低,表示晶片中的熱量向外界傳導越快。因此,降低了晶片中PN結的溫度有利於LED壽命的延長。 那麼影響LED元件熱阻的主要因素有哪些呢?如何降低LED元件的熱阻呢? 1、LED晶片架構與原物料也是影響LED熱阻大小的因素之一,減少LED本身的熱阻是先期條件;
2、不同導熱系數的熱沉材料,如銅、鋁等對於LED熱阻大小的影響也很大,因此選取合適的熱沉材料也是降低LED元件熱阻的方法之一。
3、即使用相同的熱沉材料,也和散熱面積的大小有直接關係,二次散熱設計好,面積大,也就相應地降低了熱阻,這對LED的發光效率和壽命的延長有很大作用。 .. 閱讀全文
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ITO晶片在LED中的應用

為了提高LED晶片的出光效率,人們想了許多辦法。比如,當前市場上出現了許多亮度較高的ITO晶片的LED,GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作為P型電極晶片的亮度要比採用通用電極的晶片高20%-30%。
ITO是英文Indium Tin Oxides的縮寫,意思是「氧化銦錫」。與其他透明的半導體導電薄膜相比,ITO具有良好的化學穩定性和熱穩定性。對襯底具有良好的附著性和圖形加工特性。 ITO為一種N型氧化物半導體,作為納米銦錫金屬氧化物,具有很好的導電性和透明性,可以切斷對人體有害的電子輻射,紫外線及遠紅外線。因此,噴塗在玻璃,塑膠及電子顯示幕上後,在增強導電性和透明性的同時切斷對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。ITO透明導電膜是平面顯示器上重要之組件,其特性會與鍍膜製程中的參數及材料有密切的關係。 在眾多可作為透明電極的材料中,ITO(Indium Tin Oxide)是被最廣泛應用的一種,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜,通常有兩個性能指標:電阻率和透光率。主要是由於ITO可同時具有低電阻率及高光穿透率的特性,符合了導電性及透光性良好的要求。在氧化物導電膜中,以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率最高和導電性能最好,而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形。 .. 閱讀全文
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淺析GaN基材的幾種特性

GaN是極穩定、堅硬的高熔點材料,熔點約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大氣壓力下,GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。它在一個無胞中有4個原子,原子體積大約為GaAs的一半。是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,並與SiC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之後的第三代半導體材料。因其硬度高,又是一種良好的塗層保護材料。下面我們來瞭解下GaN的化學特性、電學特性和光學特性。 1、GaN的化學特性
在室溫下,GaN不溶於水、酸和堿,而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕品質差的GaN,可用於這些品質不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下,在高溫下呈現不穩定特性,而在N2氣下最為穩定。
 
2、GaN的電學特性 .. 閱讀全文
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淺談LED環氧樹脂(Epoxy)封裝技術

LED生產過程中所使用的環氧樹脂(Epoxy),是LED產業界製作產品時的重點之一。環氧樹脂是泛指分子中含有兩個或兩個以上環氧基團的有機高分子化合物,除個別外,它們的相對分子品質都不高。環氧樹脂的分子結構是以分子鏈中含有活潑的環氧基團為其特徵,環氧基團可以位於分子鏈的末端、中間或成環狀結構。由於分子結構中含有活潑的環氧基團,使它們可與多種類型的固化劑發生交聯反應而形成不溶、不熔的具有三向網狀結構的高聚物。 LED IC等為了維護本身的氣密性,保護管芯等不受外界侵蝕,防止濕氣等由外部侵入, 以機械方式支援導線, 有效地將內部產生的熱排出以及防止電子元件受到機械振動、衝擊產生破損而造成元件特性的變化。採用不同的形狀和材料性質(摻或不摻散色劑),起透鏡或漫射透鏡功能,提供能夠手持的形體。 一、LED用封膠樹脂之硬化溫度及時間 1.一般LED用封膠樹脂之硬化劑為酸無水物﹐其硬化溫度約120~130 ℃.
2.促進劑之添加後其硬化時間縮短。 二、硬化時間和歪之現象及硬化率
1.樹脂之熱傳導率小,內部硬化熱蓄積以致影響硬化率。(反應率)
2.內(硬化熱)外(烤箱)高熱Disply case 易變形。 .. 閱讀全文
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台灣的南部科學工業園區管理局表示,科學工業園區審議委員會第91次會議已經在27日通過晶鴻光電、漢民科技兩件南科園區投資審議案,核准投資金額為新台幣5億元。 其中,晶鴻光電科技公司投資案金額為2億元,擬研發、設..... 閱讀全文
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日本JSR成功開發了可改善高亮度LED發光效率的高折射率塗裝材料以及提高LED可靠性所必需的新封裝材料。該公司原來的塗裝材料的折射率為1.7左右。新開發的高折射率塗裝材料達到了約1.9。 據瞭解,新封裝材料使..... 閱讀全文
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