日前外媒報導，北卡羅萊納州立大學發現了一種通過降低氮化鎵薄薄膜中的2~3個數量級缺陷，來提高LED發光材料的質量的新技術。

研究人員介紹，通過該技術，相同的輸入電能能夠多產生2倍的輸出光能，對於低電能輸入和紫外發光範圍的LED而言，這種增長非常可觀。

LED照明主要依賴於氮化鎵薄膜的發光二極管，研究人員將2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到長2微米寬，0.5微米的空間間隙，之後發現，許多缺陷會被吸引並困在這些空隙空間裡。這使得空隙空間上減少了許多缺陷。因此，他們有效的在薄膜中放置一些空隙空間後，成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其餘部位。如果沒有這個空隙技術，每平方釐米的氮化鎵薄膜將會有大約1010個缺陷。然而使用了這個技術後，每平方釐米的缺陷將會降到大約107。以此可製造出更高質量、更有效的發光二極管。