科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣佈，截至2011 年 4 月，公司的無線射頻（RF）業務部門已出貨的商用碳化硅襯底氮化鎵 (GaN-on-SiC) RF 功率晶體管和 MMIC 產品的合計 RF 輸出功率已突破 10 兆瓦。這一里程碑式成果充分說明了科銳的氮化鎵HEMT 和氮化鎵 MMIC 技術擁有高兼容性、可靠性和業經證明的優異性能。這 10 兆瓦中只包括商用 RF 產品，不包含氮化鎵 MMIC 晶圓代工業務的 1.5 兆瓦出貨量。

在實現里程碑式出貨量的同時，科銳還保持著每10億器件小時內低於10次的超低計次失效率 (FIT率)，這比其它 RF 功率晶體管技術的標準計次失效率（ FIT 率）低 80%。

科銳公司 無線射頻（RF）總監 Jim Milligan 表示：「我們的碳化硅襯底氮化鎵器件累計實地工作時間已經超過 14 億小時，其可靠性超過其它高壓硅技術或者砷化鎵技術，是目前為止國內氮化鎵器件供應商已知的累計現場數據中的最大值，其中不僅包含分立晶體管，還包含複雜的多級氮化鎵 MMIC。這10兆瓦里程碑式的出貨量充分證明了科銳的氮化鎵技術已被迅速廣泛採用，涉及領域不僅包括軍事應用，還包括電信基站、寬帶測試設備、民用雷達和醫療應用等。如果我們以現在的速度繼續向這些新的細分市場擴張， 2011年底我們的出貨量有望在 10 兆瓦的基礎上再翻一番。」

作為美國最大的碳化硅襯底氮化鎵 RF 晶圓處理技術的生產商，科銳已經開發出品類豐富全面的氮化鎵 HEMT 和氮化鎵 MMIC 產品，旨在滿足數量不斷增加的 RF 陣列和微波應用對寬波段、高效率和高可靠性的要求。

25 年來，科銳不斷將創造性、突破性的創新成果帶到半導體行業，從最早的藍光 LED，到全球首款碳化硅 MOSFET，再到業界第一個碳化硅襯底氮化鎵 MMIC 的問世，科銳一直奮戰於技術的最前沿。