東芝株式會社(TOKYO：6502)與SanDisk公司(NASDAQ：SNDK) 日前聯合宣布，雙方共同投資的300毫米NAND快閃記憶體晶圓廠“Fab 5”正式開張，投產24nm工藝快閃記憶體晶元。
Fab 5由東芝、SanDisk 2010年9月聯合投資成立的Flash Forward, Ltd.公司負責運營，雙方分別持有50.1％、49.9％的資本，員工300多人。該工廠于2010年破土動工，2011年3月份完工，如今正式投入量產，並計劃在8月份出貨第一批晶圓。
目前，Fab 5開始投產的24nm NAND快閃記憶體工藝，是業內最先進的快閃記憶體製造工藝技術，于2010年8月份首次投入量產。Fab 5採用新近宣布的全球最小、最先進的工藝節點——19納米製造技術；未來，Fab 5將過渡到更高級的工藝製程。
Fab 5是東芝的第三座300毫米晶圓廠，廠區總面積18.7萬平方米，建築面積3.8萬平方米，主體是一棟五層大樓，雙層鋼筋混凝土加高級防震結構。通過LED照明和節能製造設備等措施，Fab 5預計將會比Fab 4減少12％的二氧化碳排放量，同時水循環系統也與Fab 3、Fab 4連接在一起，進一步保證高效生產。
