日本信息通信研究機構（NICT）和田村製作所等近日宣佈，開發出了使用氧化鎵（Ga2O3）單晶基板的晶體管，研究成果已經以論文的形式刊登在學術雜誌「Applied Physics Letter」上。該技術與已開始用於功率半導體領域的SiC和GaN相比，有望大幅削減製造成本。
此次開發的晶體管是一種將具有肖特基結的金屬用於柵極電極的「金屬半導體場效應晶體管」（Metal-Semiconductor Field Effect Transistor，MESFET）。其製造方法是，在利用液態生長法製成的β-Ga2O3單晶基板上，採用分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE）法形成n型Ga2O3薄膜後製成。截止時的耐壓為250V以上，漏電流為數μA/mm左右，電流開關比為104左右。
Ga2O3中的β-Ga2O3的帶隙為4.8～4.9eV，大於SiC的3.3eV和GaN的3.4eV，有望實現高出SiC和GaN的高耐壓性及低損耗性。因此，可用於需要耐受鐵路及輸電線等高電壓和大電流領域。由於單晶基板製造無需高溫高壓等條件，而且原料利用率較高，因此有望以低成本量產單晶基板。
