美國加州大學聖塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara，UCSB）研究團隊開發出一種製造無螢光粉白色半極化LED的新方法，並且可望作為背光源使用。研究結果已發表在《光學快報》（Optics Express）期刊上，諾貝爾獎得主中村修二也掛名共同發表。

通常情況下，白色LED由藍色LED與黃色螢光粉結合製成，而由螢光粉轉換而來的白色LED往往會出現能量損耗及熱穩定性下降等問題，但無螢光粉的LED難以實現。不過，UCSB團隊提出了一個較為容易的製造方法，可直接在氮化鎵襯底上生長出高效的白色半極化LED。

研究團隊在塊狀氮化鎵襯底上採用藍色量子阱（頂部）和黃色量子阱（底部）生長出無螢光粉的白色InGaN（銦鎵氮）LED，這些LED發射波長峰值為427mn的藍光及560nm的黃光，輸出功能為0.9mW。

圖片來源: (Li et al., 2020)

研究者認為，無螢光粉的高效LED作為背光源的前景可期，有望實現用於可見光通訊LiFi中的Micro LED。

據瞭解，業內關於無螢光粉LED照明的研究一直都在開展中。2016年，韓國KAIST也提出了一個製造方法：以半導體晶片取代螢光粉。頂部為同心圓模樣的金字塔結構，設計成複合結構體。製造出的3D結構體各個面以不同條件形成量子阱，各發出不同的顏色。

（LEDinside Janice編譯）