天眼查官網顯示，華燦光電的「微型發光二極管晶片及其製備方法」專利已獲得授權，授權公告日為6月9日，授權公告號為CN114388672B，該專利能夠提升晶片鍵合強度，使鍵合層與基板和外延結構的連接更緊密，提高晶片的可靠性。

（Source：天眼查）

據專利文件介紹，微型發光二極管（Micro Light Emitting Diode，Micro LED）晶片通常包括基板、外延結構、第一電極和第二電極，外延結構層疊於基板的表面，第一電極和第二電極位於外延結構上遠離基板的表面，且分別與外延結構中的p型層和n型層相連。通常在將外延結構設置於基板上時，會在基板和外延結構之間設置鍵合層。

然而，相關技術中鍵合層上與基板和外延結構貼合相連的兩側面均為平坦的平面，這樣在晶片遇到應力時，容易使基板或外延結構與鍵合層的部分區域之間出現脫落的問題，影響晶片的可靠性。

針對上述問題，華燦光電研發了相關解決方案。根據專利文件顯示，「微型發光二極管晶片及其製備方法」公開提供了一種微型發光二極管晶片及其製備方法，屬於光電子製造技術領域。

該微型發光二極管晶片包括依次層疊的基板、鍵合層和發光結構；所述發光結構靠近所述基板的表面設有多個第一凸起，所述第一凸起靠近所述基板的一端的端面面積大於所述第一凸起與所述發光結構相連的一端的端面面積；所述基板靠近所述發光結構的表面設有多個第二凸起，所述第二凸起靠近所述發光結構的一端的端面面積大於所述第二凸起與所述基板相連的一端的端面面積。

（LEDinside整理）