LEDinside: Micro LED 關鍵技術發展方向分析評論: 轉移技術篇

LEDinside: Micro LED 關鍵技術發展方向分析評論: 轉移技術篇

 

市場研究機構TrendForce旗下綠能事業處LEDinside最新報告1Q17 Micro LED 次世代顯示技術市場會員報告表示,Micro LED 關鍵技術發展方向涵蓋四大面向,包含磊晶與晶片技術、轉移技術、鍵結技術(Bonding)、彩色化方案等。

 

轉移技術

 

薄膜轉移的核心技術在於如何大量的抓取微米等級的薄膜磊晶,現階段的抓取方式大致上可以區分為以物理特性去做抓取方式,或是以化學材料去做抓取。以物理性的抓取為例,LuxVue採取透過靜電力吸附微小元件的方式。而化學性的抓取以X-Celeprint為代表,利用Elastomer Stamp為介質,並且利用凡德瓦力來做抓取。除此之外,還有許多廠商各自開發許多種抓取方式。

 

薄膜轉移的另一項核心技術在於如何去選擇想要抓取的微米等級的薄膜磊晶,例如多數採用抓取力量的大小來控制想要選取的標的,例如前述提到的透過靜電力,或是凡德瓦力,並針對想要特定抓取的標的施予不同程度的能量來做選擇。除此之外,SONY也利用雷射燒灼的方式,來選取特定的標的目標。

 

最後,一般用於封裝前將LED晶片內部電路用金線與基板做連接與電路導通。但是由於Micro LED的晶片過於微小,已經沒有辦法用ㄧ般的金屬打線方式來與基板結合,因此需要用其他的方式來與基板做集合。因此未來的技術發展重點在於拿何種材料來進行接合與轉移。

 

Roger, Skyve, Joanne, Joey / LEDinside

 

1Q17 Micro LED 次世代顯示技術市場- 綱要

Micro LED 顯示器究竟是何方神聖?

p   何謂Micro LED 顯示器

p   Micro LED Display 生產流程圖

p   LED 顯示應用代表-背光與像素光

p   LED大於像素-傳統背光

p   像素大於LED-Micro LED

p   高密度電路與高密度光源的結合

p   未來的顯示技術將會進入自發光的時代

p   LCD v.s. OLED v.s. Micro LED 分析

p   Micro LED打開顯示技術的疆界

 

Micro LED 關鍵技術探討

p   Micro LED 關鍵技術發展方向

p   磊晶與晶片技術

p   轉移技術

p   轉移技術- Pick Up 拾取

p   轉移技術- Selectivity 選擇

p   轉移技術- Placement 放置

p   彩色化方案

 

Micro LED 價值鏈與轉移廠商現況分析

p   Micro LED 價值鏈- Micro LED / QD 螢光粉 / 轉移廠商 / 面板 / 驅動IC

p   Micro LED供應鏈相關企業與主要專利佈局重點

p   專利分類項目定義

p   LuxVue- 靜電吸附轉移技術,仍未見是完美解決方案

p   LuxVue- Micro LED 新專利,加強微型裝置陣列穩定度

p   X-Celeprint- 以轉移為核心技術,研發顯示技術為輔

p   X-Celeprint- μTP轉移技術仍有許多問題需逐一克服

p   X-Celeprint- 主動 v.s. 被動定址化驅動技術產品規劃

p   Sony- 長期布局Micro LED 技術

p   Sony- 透過雷射燒灼(Laser Ablation)技術,來選擇特定的器件完成轉移

p   ITRI 工研院- 積極發展轉移技術採用主動定址化驅動技術

p   ITRI 工研院- 透過Pick & Placing技術,可以抓取1 µm ~100 µm的微電子元件

p   PlayNitride 錼創- 專利於PixeLED 與晶片轉移技術

p   PlayNitride 錼創- 專長於LED晶片與轉移技術

p   Mikro Mesa- 晶片最小尺寸可達到3微米,採用垂直LED晶片結構

p   Mikro Mesa- 薄膜轉移專利佈局

p   Ostendo Technology Inc. USA- 量子光子成像 (Qantum Photonic Imager) 全息顯示技術

p   Ostendo Technology Inc. USA- QPI專利在單個LED磊晶上實現全彩LED

p   專利含量整理分析- Transfer & Bonding

p   專利含量整理分析- Micro LED & Substrate

 

 

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