三安光電斥資333億人民幣,於福建建設半導體生產基地

 
三安光電於 2017 年 12 月 5 日召開第九屆董事會第五次會議審議通過了關於公司與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署《投資合作協議》的議案。根據協議約定,公司擬在福建省泉州芯谷南安園區投資註冊成立一個或若干項目公司,投資總額 333 億人民幣(含公共配套設施投資),全部項目五年內實現投產,七年內全部項目實現達產,經營期限不少於 25 年。
 
產業化項目為:
1、高階氮化鎵 LED 基板、磊晶、晶片的研發與製造產業化項目
2、高階砷化鎵 LED 磊晶、晶片的研發與製造產業化項目
3、大功率氮化鎵雷射器的研發與製造產業化項目 
4、光通訊器件的研發與製造產業化項目 
5、射頻、濾波器的研發與製造產業化項目 
6、功率型半導體(電力電子)的研發與製造產業化項目
7、特種基板材料研發與製造、特種封裝產品應用研發與製造產業化項目
 
本次投資合作協議事項尚待公司股東大會審議批准。公司將根據有關規
定,履行內部審議程序及訊息披露義務。本次對外投資事項不構成關聯交易,也不構成《上市公司重大資產重組管理辦法》規定的重大資產重組。
 
(資訊來源:三安光電)
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