SSL China 2016: 寬禁帶半導體推升高壓高速市場需求

第十三屆中國國際半導體照明論壇 (SSL China) 暨第三代半導體國際會議 (IFWS) 於2016年11月15-18日於北京國際會議中心舉行,貫徹中國十三五國家科技創新規劃,支撐落實戰略性先進電子材料重點專項。LEDinside 有此榮幸受邀參加會議,紀錄眾產業專家發表之重點趨勢,節集未來五年產業關鍵將更著重在跨產業應用,包含Micro LED、雷射照明、VCSEL 雷射、LiFi與可見光通訊、智慧照明與健康照明。同時受惠於中國對於半導體政策補助,加上高電流、高壓、高速市場需求,如基地台、高鐵、電動車充電站等等,寬禁帶半導體產業發展,包含氮化鎵與碳化矽功率元件更受矚目。同時,因應市場需求,Aixtron 與 VEECO 相繼推出適合功率元件設備機台,強調能提升更好的良率與生產力,降低成本,單一反應爐 (Single Wafer Reactor)能提高晶圓品質的一致性。
 
[氮化鎵功率元件]
 
相對於使用Si MOSFET 或是 Si IGBT,氮化鎵功率元件擁有更高的功率密度、更好的能源效率、高信賴性、高速,相當適合快速開關、散熱、與PCB 電路設計 (Layout),提供小體積的產品設計,如AC-DC 電源供應應用於消費者產品、資訊中心(Data Center)。
 
 
 
 
 
 
未來再發展氮化鎵功率元件產品上,封裝與模組設計上除了更需符合市場需求,同時也需達到市場化生產的可能。2016-2017 年主要市場需求則在AC-DC 電源供應應用於消費者產品、資訊中心(Data Center)、工業企業市場、太陽能逆變器、車用市場應用等。
 
 
[碳化矽功率元件]
氮化鎵功率元件將可達到900V 的表現能力;而碳化矽功率元件的產品將更可提升到更高壓的市場。目前國際廠商的產品以可達到1200V 以上,更適合應用於高速、高壓、高溫應用市場,包含高鐵、基地台、自動化廠房市場應用等。
SiC MOSFET 擁有更好的低傳導損耗 (Lower Conduction Loss) 與低開關損耗 (Lower Switching Loss)。在功率元件模組設計上考量,除了可靠度外,降低雜散電感電容 (Stray Inductance and Capacitor)是相當重要的,並且產品設計涵蓋柵級驅動 (Gate Drive Circuit) 保護電流 (Protection Circuit)。同時,推出更適用的封裝將幫助產品應用於市場。若能有相關雲端監測系統幫助工作壽命與可靠度的提升,也是相當符合市場需求。美國與日本國際廠商盡如碳化矽功率元件較早,產品也有明顯的大幅發展,然而韓國也建立的相當完整的供應鏈,期待未來市場發展迅速。
 
 

文 Joanne 吳盈潔 / LEDinside

RSS RSS     print 列印     mail 分享     announcements 線上投稿        
瀏覽人次:720
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。