2007年4月24日，日立電線株式會社（Hitachi Cable）確認成功開發產製出直徑3英寸的GaN襯底，對於LED產業將有正面助益。
日立電線公司表示，該襯底採用了「間隙形成剝離法(VAS:Void Assisted Separation)」技術。首先在藍寶石襯底上生長GaN薄膜，再在GaN薄膜上沉積氮化鈦膜，然後將其放在混合氣體中加熱，使GaN分解，此時GaN薄膜與金屬膜的接觸面產生了間隙，接著氫化物氣相外延（HVPE）法在這層氮化鈦膜上生長更厚的GaN膜。
其中，產生的空隙層不僅降低了由晶格常數不同引起的應力效應，還降低了GaN厚膜的缺陷密度和翹曲效應的作用，晶體的質量也得到提高，並允許自支撐、大尺寸GaN芯片的直接剝離。工藝目前仍處于研究階段，日立對其商業化的推廣還尚待研究，對於4英吋的襯底，公司也表示尚無明確計劃，還需針對客戶需求做更深入的了解。
