日立電線確認生產出3英寸GaN襯底 商業化推廣尚待研究

2007年4月24日,日立電線株式會社(Hitachi Cable)確認成功開發產製出直徑3英寸的GaN襯底,對於LED產業將有正面助益。

日立電線公司表示,該襯底採用了「間隙形成剝離法(VAS:Void Assisted Separation)」技術。首先在藍寶石襯底上生長GaN薄膜,再在GaN薄膜上沉積氮化鈦膜,然後將其放在混合氣體中加熱,使GaN分解,此時GaN薄膜與金屬膜的接觸面產生了間隙,接著氫化物氣相外延(HVPE)法在這層氮化鈦膜上生長更厚的GaN膜。

其中,產生的空隙層不僅降低了由晶格常數不同引起的應力效應,還降低了GaN厚膜的缺陷密度和翹曲效應的作用,晶體的質量也得到提高,並允許自支撐、大尺寸GaN芯片的直接剝離。工藝目前仍處于研究階段,日立對其商業化的推廣還尚待研究,對於4英吋的襯底,公司也表示尚無明確計劃,還需針對客戶需求做更深入的了解。

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