UCSB與三菱化學聯合發表利用GaN結晶非極性面的藍光LED

在美國拉斯韋加斯舉辦的氮化物半導體國際學會「ICNS-7」上,加州大學聖巴巴拉分校(UCSB)與三菱化學聯合發表了利用GaN結晶非極性面的藍色LED。

該LED利用非極性面中的m面的藍色LED。如果將阱層厚8nm、勢壘層厚18nm的量子阱的發光層進行6次層叠,即形成6層,在20mA電流驅動下,光輸出功率爲23.7mW,外部量子效率爲38.9%。此時,發光波長爲407nm。

同樣地,如果將阱層厚16nm、勢壘層厚18nm的量子阱的發光層進行6次層叠,即形成6層,在20mA電流驅動下,光輸出功率可達28mW,外部量子效率可達45.4%,此時發光波長爲402nm。

當驅動電流增至200mA時,該款LED産品的光輸出功率高達250mW,外部量子效率高達41%。
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