LEDinside發表知識庫新文章[淺談InN材料的電學特性]

引述: 

一、製造InN薄膜目前存在的難題
製備高品質的InN體單晶材料和外延薄膜單晶材料是研究和開發InN材料應用的前提。但是,製造InN薄膜有兩大困難。

一是InN材料的離解溫度較低,在600 ℃左右就分解了,這就要求在低溫生長下InN ,而作為氮源的NH3的分解溫度較高,要求1000℃左右,這是InN生長的一對矛盾,因此採用一般的方法很難製備單晶體材料,目前製造InN薄膜最常用 的方法是MBE、HVPE、磁控濺射、MOCVD技術。

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