LEDinside發表知識庫新文章[淺談InN材料的電學特性]

引述: 

一、製造InN薄膜目前存在的難題
製備高品質的InN體單晶材料和外延薄膜單晶材料是研究和開發InN材料應用的前提。但是,製造InN薄膜有兩大困難。

一是InN材料的離解溫度較低,在600 ℃左右就分解了,這就要求在低溫生長下InN ,而作為氮源的NH3的分解溫度較高,要求1000℃左右,這是InN生長的一對矛盾,因此採用一般的方法很難製備單晶體材料,目前製造InN薄膜最常用 的方法是MBE、HVPE、磁控濺射、MOCVD技術。

來源: 

LEDinside發表知識庫新文章[淺談InN材料的電學特性]

 

RSS RSS     print 列印         announcements 線上投稿        
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。