瑞薩電子爭做業內領先的化合物半導體供應商

近日,瑞薩電子正式宣佈加強公司化合物半導體業務的新目標,包括由化合物半導體(如砷化鎵(GaAs))構成的光學器件和微波器件。該公司計劃:利用光電耦合器、RF(射頻)開關IC和其它重點產品獲取全球最大的市場份額。在2011年3月之前推出氮化鎵(GaN)基半導體產品。

在光電耦合器方面,瑞薩電子計劃加快開發高溫操作、低功耗和小型封裝,以便滿足「綠色」市場不斷增長的需求,如混合動力和電動車、LED照明系統與電表。

公司計劃通過結合面向高壓和大電流輸出的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)與微控制器(MCU)來進一步拓展光電耦合器的銷售。公司特別決定通過將職員總數增加1倍來加強其海外營銷職能。將其生產容量在2009年Q4的基礎上擴大1倍。努力在2011財年獲取光點耦合器市場世界最大份額。

在具有RF功能的電子器件(如手機和筆記本電腦)上實現收發轉換、3G-GSM轉換和天線轉換的RF開關IC方面,瑞薩電子計劃採用業內領先的新型低損耗晶體管,並推出採用小型封裝技術的產品,採用超小型封裝的RF開關IC產品或以裸晶片的形式推出RF開關IC。還計劃通過與美國、歐洲和中國台灣的芯片集供應商合作來擴展RF開關IC業務,從而為系統製造商提供參考設計。力圖獲取世界最大的RF開關IC市場份額。

在GaN基半導體產品方面,瑞薩電子通過將GaN層堆疊到Si基片上來生產電路。可以實現更大的晶圓(6英吋晶圓),並且還能夠以較低的成本生產半導體器件。該公司計劃先推出面向CATV(有線電視)放大器市場的、高可靠性、高功能GaN基產品。預計2011年3月開始發售瑞薩電子的首款GaN基產品樣品 —— 一 款面向CATV的標準器件,它整合了多個GaN FET、冷凝器和其他器件。

瑞薩電子預計,2010財年到2012財年化合物半導體市場的年平均增長率將達到 8%。並進一步可將其化合物半導體業務擴大11%,到2012財年將化合物半導體銷售額提高1.2 倍,成為業內領先的化合物半導體供應商。

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