世創電子材料公司Siltronic AG日前宣布，公司與比利時微電子研究機構IMEC達成協議，雙方合作屬於IMEC氮化鎵工業聯盟計劃（IIAP）中的一部分，主要是為下一代LED以及功率半導體原件提供能夠在200 mm的硅晶片上生長的GaN層。

GaN是一種非常有前途的材料，它具有優良的電子移動性、高的擊穿電壓和良好的導熱性，適合應用於光電學以及製造功率半導體原件，比如風力渦輪機、太陽能發電系統、電動汽車和節能型廚房器具等。不過，為實現在大尺寸硅晶片上生長GaN/(Al)GaN外延層，GaN技術還需進一步完善，並需尋求廉價而高效的生產方法。

目前，除Siltronic公司外，還有其它很多參與者加入到了這個跨國研究平台中，如集成設備商、鑄造廠、硅化合物以及硅基底材料生產商。