新興的外延技術可提高LED的生產能力，並加速固態照明的滲透
世界領先的電子及能源產業的半導體材料生產和製造商SOITEC與照明行業的材料、設備和系統供應商重慶四聯光電科技有限公司就共同使用HVPE技術製造氮化鎵(GaN)達成了協議。GaN晶片模板在LED的生產中能大大降低成本。
雙方的合作開發協議旨在使用四聯的藍寶石襯底和SOITEC獨特的HVPE技術來驗證GaN晶片模板生產的可行性並進行商業化生產。雙方公司計劃今年開始進行GaN晶片模板的樣片生產。
負責開發HVPE技術的SOITEC副總裁兼美國菲尼克斯實驗室總經理Chantal Arena稱“我們計劃使用驗證過的硅外延設備，在加入我們開發的鎵氣體后，開發出一種高產能的HVPE設備。然後我們成功的研發出了一種具有快速生長特點的工藝，而且成本更低。這種新的工藝使得GaN模板比使用MOVPE的方式更具有成本的優勢。
四聯光電的COO David Reid說“四聯光電很高興能與SOITEC合作，並採用其HVPE技術通過我們在中國已建立的廣泛的藍寶石襯底市場，我們將會非常適合利用其技術優勢，為我們的藍寶石襯底客戶提供高質量並能有效降低成本的模板”。
SOITEC的主席及CEO André-Jacques Auberton-Hervé說“HVPE技術的開發引入了一種新的商務模式，它能讓LED製造商節約高達60%的MOVPE產能。現在LED製造商可以關注怎樣提高LED發光層的生產了。除此新的商務模型之外，利用Arizona 的菲尼克斯實驗室附屬機構所獲得的在LED外延生長方面的經驗，我們也在尋找與四聯開展LED照明領域方面的合作”。
四聯光電的控股公司，中國四聯儀器儀錶集團的董事長向曉波先生指出“SOITEC和四聯都具有互補的技術優勢。因此我們希望在巨大的LED照明和材料市場中與SOITEC共同開展雙贏的商務模式”。
