中美晶(5483)旗下矽晶圓廠環球晶(6488)今(1)日表示，4月13至16日將於「LED TAIWAN 2016」會中發表寬能隙半導體元件(Wide Bandgap Semiconductor Device)關鍵材料最新研發成果，依功率元件的應用功率，分別展出矽(Si)、氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)產品。
環球晶並指出，矽產品將展出3吋至12吋晶圓，包括磊晶片、退火片、拋光片及SOI；氮化鎵產品將展出6吋及8吋Crack Free GaN/Si；以及碳化矽產品將展出晶球及雙拋晶片。
環球晶表示，目前在矽晶圓產品可因應客戶端產品應用之不同，提供具有超平坦、超高或超低阻值等各式需求產品，進而開發適合氮化鎵使用之強化矽基板；新基材的研發產品可大幅改善因應力引起之破裂翹曲等問題，有助於後製程使用者提昇良率，同時其高穩定性可讓使用者感受到製程可調動範圍變寬，以利加速產品開發。
