2018年Micro LED重大技術進展精彩回顧

2018年即將過去,Micro LED技術的發展無疑是2018年LED產業最受矚目的區塊,在迎接2019年之前,先讓我們來回顧一下幾個Micro LED的重要時刻。

KAIST開發出垂直可撓式Micro LED促進頭髮生長

韓國科學技術院(KAIST)日前開發出一種Micro LED可穿戴裝置,運用垂直Micro LED,成功幫助小鼠重新長出毛髮。

(圖片來源:KAIST)

該裝置採用一組有900個垂直Micro LED的靈活陣列,在剃光毛髮的小鼠背上進行了測試。經過連續20天的治療,小鼠毛髮生長的速度明顯快於未接受治療的小鼠。而且治療後小鼠新長出的毛髮更長,毛髮面積也更寬。

KAIST指出,Micro LED不會升溫到損害人體的皮膚,並且與傳統的光療雷射器相比,每單位面積的能耗只是其千分之一。該研究成果可以為治療人類落髮提供一個新的方法。

強化Micro LED的新基板材料問世

法國的Soitec更在製作氮化銦鎵高亮度藍色LED中,發明了一新基板InGaNOX,各色LED可同時於基板上長晶。在基板材料相同之下,三原色Micro LED便可用相同電壓驅動與控制。

(圖片來源:Soitec)

新創與研究中心也紛紛端出創新Micro LED解決方案

英國公司Optovate成立於2008年,在開發Micro/Mini LED技術方面有悠久的歷史。今年3月,該公司宣布其在Micro LED方面取得兩項突破。首先,Optovate開發了一種使用紫外線雷射和可調整圖案掩膜的Micro LED剝離移轉技術,用於將Micro LED晶片從基板上打下並直接落在接收基板上。其次,Optovate還開發了光學陣列,可以將從Micro LED晶片射出的光線利用折射和反射原理匯聚集中。這一技術可控制微米級晶片出光,達到更高的效率,當用於LCD和OLED面板背光、Micro LED面板等時,又能使應用設計更加薄型化。

而比利時微電子研究中心(imec)也早已積極投入Micro LED設備的開發,著眼於將Micro LED晶片快速移轉至基板上的技術。透過其開發出的CSM機台彈簧結構,可將Micro LED晶片轉移至不同的基板上,並且同時可以調整晶片的間距,增加轉移與組裝效率。Imec台灣區總經理Peter Lemmens認為,頭戴裝置或是智慧眼鏡等應用將可望最先受惠於Micro LED的技術發展。

此外香港的JBD也設計出可以實現單色紅色、綠色、藍色的Micro LED陣列模組顯示器的異質整合技術。LEDinside今年也在3月訪談過JBD,並曾撰寫JBD採用晶圓接合 (Wafer Bonding) 的方式將Micro LED 做晶圓級轉移 (Wafer Level Transfer),來做成單色的Micro LED模組,特別是其綠光的Micro LED陣列模組亮度高達50K nits。

(圖片來源: JBD)

Micro LED具微型化晶片與巨量轉移特質,需要的不同層次的晶圓片生產與處理製程,因此產業對於設備的需求與以往更加不同,為了讓Micro LED技術發展能持續推展,設備商今年也紛紛推出自家在強化Micro LED生產製造的技術。

兩大MOCVD廠商AIXTRON與Veeco皆展現其設備在生產波長一致性較高、缺陷密度較低的高品質磊晶矽晶圓片上的優勢。其中,Veeco與ALLOS Semiconductor結盟,於11月時展示 ALLOS 200 mm 矽基氮化鎵磊晶矽晶圓產品技術在 Veeco Propel® MOCVD 反應器上的可複製性。

而AIXTRON也不惶多讓,旗下AIX G5+C與AIX 2800-G4 TM兩個平台皆提供MOCVD解決方案,並且能實現高產量的生產目標。旗下採用GasFoilRotation® (GFR) 的Planetary Reactor®技術,是一種結合單晶圓旋轉和間歇式反應器處理的混合解決方案。其衛星控制功能使用GFR來實現對單個晶圓的溫度控制和流量調節。而AIXTRON在Micro LED技術的研究開發也獲得LEDinside所舉辦的Micro LED前瞻技術比賽首獎。

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