斥資10億美元!Cree 將擴大SiC碳化矽產能

Cree 於5月7日宣布,作為公司長期增長戰略的一部分,將投資10億美元用於擴大SiC碳化矽產能,在公司美國總部北卡羅萊納州特勒姆市建造一座採用最先進技術的自動化200mm SiC碳化矽生產工廠和一座材料超級工廠。其中,4.5億美元用於North Fab;4.5億美元用於材料超級工廠(mega factory);1億美元用於伴隨著業務增長所需要的其它投入。

這項投資是Cree迄今為止最大的投資,將為Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化鎵業務提供動能。在2024年全部完工之後,這些工廠將極大增強公司SiC碳化矽材料性能和晶圓製造產能,使得寬禁帶半導體材料解決方案為汽車、通訊設施和工業市場帶來巨大技術轉變。

Cree首席執行官Gregg Lowe表示,我們不斷地看到在汽車和通訊設施領域採用SiC碳化矽的優勢來驅動創新所產生的巨大效益。但是,現有的供應卻遠遠不能夠滿足我們對於SiC碳化矽的需求。今天,我們宣佈了公司迄今在生產製造的最大投資,將大幅地提升供應,説明客戶為市場提供變革性的產品和服務。這項在設備、基礎設施、公司人力方面的巨大投入,將為我們顯著擴大產能。與2017財年第一季度(也就是我們開始擴大產能的第一階段)相比較,能夠帶來SiC碳化矽晶圓製造產能的30倍增長和材料生產的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化矽材料和器件在未來5年乃至更長遠的預期增長。

這項計畫將為業界領先的Wolfspeed SiC碳化矽業務提供附加產能。通過增建現有的建築設施,作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓製造工廠,邁出滿足預期市場需求的第一步。新的North Fab將被設計成能夠全面滿足汽車認證的工廠,其生產提供的晶圓表面積將會是今天現有的18倍,剛開始階段將進行150mm晶圓的生產。公司將把現有在特勒姆的生產和材料工廠轉變為一座材料超級工廠。

Gregg Lowe同時指出,這些SiC碳化矽製造超級工廠,將加速當今最快增長市場的創新。通過提供解決方案,幫助提高EV電動汽車的行駛里程並減少充電時間,同時支援5G網路在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化矽和GaN氮化鎵技術和製造有史以來最大的資本投資,也是一種在財政上負責任的方式。通過採用現有工廠和安裝絕大部分的整新工具,我們相信我們可以實現提供最先進技術的200mm fab,並且成本大約僅為一座新fab的1/3。

擴大的園區將創造高科技就業機會,並提供先進製造人才發展計畫。Cree計畫與州、當地和四年制院校開展培訓專案,為新工廠所帶來的長期、高端就業和成長機遇提供人才儲備。

RSS RSS     print 列印     mail 分享     announcements 線上投稿        
瀏覽人次:1389
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。