鴻海研究院攜手KAUST和陽明交通大學研究團隊,合作開發高色純度InGaN-based紅光Micro-LED

來源: 
鴻海研究院

顯示技術在我們的生活中扮演著重要角色,其廣泛的應用包括智能手機、平板電腦、桌面顯示器、電視、車載顯示、戶外看板、數據投影儀和增強現實/虛擬現實設備等。與液晶和有機LED顯示器相比,Micro-LED具有高亮度、低功耗、高解析度、高對比度等諸多優點,並具有應對新興產品應用的潛力。然而,要實現全彩微型顯示(full-color display)仍然面臨一些困難,特別是高In含量的氮化銦鎵(InGaN)基紅光Micro-LED受到量子侷限史塔克效應(quantum confined-Stark effect, QCSE)的影響,效率不足且存在波長位移的問題,進而影響顯示品質。

為了解決氮化銦鎵(InGaN)基紅光Micro-LED在色彩穩定性方面的問題,陽明交通大學(NYCU)郭浩中教授與鴻海研究院(HHRI)半導體所合作,開發了一種新型的高色純度氮化銦鎵(InGaN)基紅光Micro-LED,並成功地在元件頂部導入了非對稱分散式布拉格反射鏡(modified distributed Bragg reflectors, DBR),以作為濾光片,有效地減輕了由QCSE現象所引起的波長位移問題。該研究是基於先前與沙烏地阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(KAUST)研究團隊共同開發的高效率InGaN-based紅光Micro-LED基礎上進行的,研究成果《High-efficiency InGaN red micro-LEDs for visible light communication》已於去年七月發表在國際頂尖光電期刊Photonics Research。全文詳見https://doi.org/10.1364/PRJ.462050

本團隊成功在元件頂部導入非對稱式分佈布拉格反射器(DBR),以作為濾光片,成功減輕了由QCSE現象所引起的波長位移問題。在研究過程中,本團隊進行了三種不同DBR設計的光學特性比較,包括傳統的DBR和有無經過優化的非對稱式DBR。透過將計算出的光譜轉換成CIE 1931色度座標以及8位編碼的RGB值,我們能夠更加穩定地定量評估色彩的表現。傳統的DBR會將色偏移量上升67%。這是因為光譜波紋降低了色純度,這導致顏色從紅色變為洋紅色。相比之下,經過厚度優化的非對稱式DBR能夠有效減少光譜位移的現象,在CIE1931的色彩座標中也表現出了42%的位移量減少,證實非對稱式DBR結構可以有效提高色彩穩定性,達到提高色純度之目的。CIE 1391的色彩座標與不同DBR結構之色彩位移關係如圖二所示。本研究成果已於今年1月在光電期刊nanomaterials發表,標題為《Modified Distributed Bragg Reflectors for Color Stability in InGaN Red Micro-LEDs》,全文可參閱https://doi.org/10.3390/nano13040661

陽明交大與鴻海研究院團隊共同開發的光電技術成果,包含高效率InGaN-based紅光Micro-LED、高色純度DBR設計、高頻寬黃綠光氮化鎵Micro-LED元件等相關五篇研究,均成功發表於2023光電頂級會議Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO),此會議由電機電子工程師學會(IEEE)、美國物理學會(APS)及美國光學學會(OSA)共同主辦,是全球光電領域最重要的國際盛會之一。

圖一、 InGaN 紅色 micro-LED色彩座標。

 

圖二、結合不同 DBR InGaN 紅色micro-LED CIE 1931 色彩座標。

 

出刊時間: 2022年05月31日 / 2022年11月30日
檔案格式: PDF 
報告語系: 繁體中文 /英文
頁數: 130–150 in total (subject to change)
 

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