近日，CIOE中國光博會在深圳開幕，Micro LED光互連成為本屆展會焦點技術之一。

從晶湛半導體、立琻、星鑰半導體、鐳昱半導體等上遊外延、芯片及顯示模組等企業，到光擎源、智算光聯等系統方案商，多家企業集中展出了Micro LED光互連技術方案的最新進展。

圖片來源：中國光博會

從技術特點來看，企業以Micro LED陣列替代傳統激光器作為光源，通過多通道並行傳輸實現超高帶寬密度；功耗普遍瞄準1-2pJ/bit甚至更低的量級，較傳統光引擎方案大幅降低。

同時依托晶圓級工藝與CMOS兼容特性，為低成本、規模化制造提供了可能。在AI算力擴張、短距互連成為瓶頸的當下，Micro LED光互連正從概念驗證走向產業化前夜。

Raysolve鐳昱
本次光博會上，鐳昱在光互連領域，重點展示了與合作方共同構建的Micro LED光互連驗證平台，並實現多芯光纖信號傳遞。

圖片來源：Raysolve鐳昱

在Micro LED光互連領域，鐳昱擁有四大先發優勢：晶圓級工藝支撐成本優化與規模化制造；高效率發光為低功耗光互連提供技術基礎；高效準直技術實現高穩定、高功率光輸出；低串擾特性支撐高密度、多通道並行傳輸。

據悉，早在2021年，鐳昱即延續團隊在香港科技大學的技術探索，持續挖掘Micro LED在光纖互聯場景中的應用潛力。鐳昱依托在晶圓工藝、高密度陣列及高效光輸出上的深厚積澱，在微顯示的基礎上重點突破光源調制速度、高效準直與低串擾等關鍵指標。

目前，鐳昱正與多家頭部光互連及光模塊廠商開展深度合作探索，推動相關方案進入功能驗證、性能優化及終端應用驗證階段。

星鑰半導體
星鑰半導體在光博會上展出的Micro LED光互連產品以"星掣"為名，主打極速光芯驅動高速互聯。

其展台演示了基於Micro LED技術的光互連方案架構：光信號發送陣列與接收陣列通過光纖實現芯片間的信號傳輸，每個纖芯內集成多個Micro LED光通道，電信號經CPU/GPU輸入後由光信號發送陣列轉換為光信號傳輸。

數據圖顯示，其高帶寬Micro LED的-3dB帶寬可達約2500MHz，遠高於普通Micro LED的約500MHz水平。通過高密度並行通道，Micro LED光互連架構有望降低能耗20x，高度匹配AI算力系統短距互連對超低能耗、高帶寬密度等的要求。

星鑰半導體目前深耕8英寸矽基GaN Micro LED芯片，已建成國內首條8英寸全流程中試線，單色芯片已批量生產，近期完成超10億元A輪融資。
此前相關媒體報道，在Micro LED光通信領域，星鑰半導體現已向產業合作夥伴送樣開展產品驗證測試，加速推進技術從研發走向產業化驗證。

立琻半導體
立琻半導體(LEKIN)在光博會上展出了其基於矽基GaN平台的MicroLED光互連完整方案，並現場展示了矽基MicroLED光互連晶圓。

去年，立琻依托矽基GaN平台推出單芯全彩Micro_ED顯示芯片，免去巨量轉移環節，在直顯大屏賽道實現關鍵技術突破。今年企業將成熟矽基GaNSiMiP平台延伸至光互連領域，搭配自研微透鏡技術，可有效提升出光準直性、降低光纖耦合難度、抑制信號串擾，從源頭大幅削減系統功耗;此外矽基GaN平台能夠直接與CMOS驅動芯片鍵合，集成度與工藝適配性俱佳。整套方案適配AI算力數據中心短距傳輸等核心高算力應用場景。

晶湛半導體
晶湛半導體展出了8-12英寸Si基GaN Micro LED光通信光源。該產品在電流密度500A/cm2下實現1.6GHz帶寬，功耗低於1pJ/bit，為Micro LED用於短距光通信提供了新的技術路線。

晶湛半導體是國內領先的第三代半導體氮化鎵外延片供應商，長期深耕Si基GaN外延技術，產品覆蓋電力電子與光電子應用。近年來，隨著Micro LED在高速可見光通信方向的潛力受到關注，公司正將大尺寸Si基GaN外延能力延伸至光通信光源這一新興賽道。

光擎源
光擎源(上海)科技有限公司展出了自主研發的高性能Micro LED光互連系統樣品，致力於為下一代算力數據中心打造全新互聯解決方案。

光擎源創始人及首席科學家是田朋飛教授，深耕Micro LED光通信已有18年，公司聚焦系統算法，CMOS驅動電路與Micro LED陣列集成，提供可驗證、可集成、可落地的光I/O方案，核心競爭力在於將Micro LED顯示技術與光通信技術進行深度融合。

在長波長InGaN Micro LED方向，其發射端能量效率達0.056pJ/bit，該成果發表於《自然·通訊》並入選期刊編輯精選，在低電流密度6.25A/cm2下實現2.85GHz電光調制帶寬與1.5Gbps穩定數據傳輸；

在短波長方向，405nm Micro LED實現全電流區間帶寬突破3GHz，低電流（3.2mA）與高電流（32mA）區間均保持3GHz以上高頻響應；在系統層面，其Micro-LED空間並行光通信方案采用4×4陣列16通道空分覆用架構，實現37Gbps聚合速率與2.3Gbps平均單通道速率。

近期，光擎源完成數千萬元種子輪融資。目前，光擎源團隊正推進CMOS驅動電路與Micro LED陣列的單片及異質集成，預計很快將構建出1.6 Tbps量級的光互連系統樣機，為下一代AI算力集群的CPO共封裝光學與芯片間光輸入輸出提供自主可控的落地方案。

智算光聯
智算光聯與股東蕪湖長信科技攜Micro LED短距高速光互聯與先進封裝玻璃基板兩大核心技術參展。

在Micro LED短距高速光互聯技術方面，方案跳出傳統激光器光模塊路線，采用Micro LED光源陣列生成多路獨立調制光信號，依靠微透鏡陣列約束光路，配合光電探測陣列完成並行信號接收。

整套鏈路擺脫覆雜的SerDes、DSP芯片依賴，有效降低鏈路功耗，目標能效可達小於1pJ/bit。據了解，智算光聯在Micro LED光互連領域也已經展開產學研合作，未來會積極推進技術驗證與產業化。

同時，智算光聯展出了先進封裝玻璃基板（TGV玻璃通孔）技術，是矽中介層的下一代重要替代路線。技術選用特種電子玻璃作為基材，通過改性濕法工藝制備TGV玻璃通孔實現垂直導通，結合雙面RDL重布線工藝，還可在基板內部嵌入光波導，真正實現電光一體化集成。

技術可面向AI芯片Chiplet異構互連、HBM多芯算力集群、CPO矽光引擎載板，Micro LED光互聯技術深度耦合，打造玻璃基光電共封裝完整方案。

小結
本屆光博會上多家企業的集中展示，反映出Micro LED光互連正受到產業鏈各方的關注。從技術特點看，企業均圍繞陣列化並行傳輸、低功耗、晶圓級制造等方向展開，針對的是AI算力場景下短距互連的帶寬與能效需求。

越來越多的方案開始進入送樣驗證或聯合測試階段，產業化落地的條件正在逐步具備。據TrendForce集邦咨詢分析，Micro LED CPO光收發模塊最快可能在2028年下半年開始放量，到2030年預計貢獻約8.48億美元產值。展望未來，隨著外延、芯片、封裝到系統的各個環節協同推進，Micro LED光互連在功耗、成本與可靠性上有望持續優化，逐步通過數據中心場景的檢驗，未來成長空間值得期待。（文：LEDinside Irving）

TrendForce 2026 Micro LED 顯示與非顯示應用市場分析
出刊時間: 2026 年 09 月 30 日
檔案格式: PDF
報告語系: 繁體中文 /英文

TrendForce 2026 紅外線感測應用市場與品牌策略
出刊時間: 2026年 01 月 01 日
檔案格式: PDF / EXCEL
報告語系: 繁體中文 / 英文
頁數: 152