Bridgelux 與Toshiba共同開發世界級性能8 吋氮化鎵上矽 LED 產品

Toshiba 對Bridgelux 進行股權投資

LED照明技術與解決方案的研發與製造領導廠商Bridgelux 公司,以及全球領導半導體製造商Toshiba公司,今日共同宣布成功開發出業界最高水準的 8 吋氮化鎵上矽(GaN on Silicon) LED 晶元,採用350mA電流,電壓小於 3.1V,僅1.1mm 大小的LED晶元,亮度可達 614mW。Bridgelux 與 Toshiba在今年數月前才剛簽署一項共同合作協議,接下來雙方將進一步加快開發 LED 晶元的腳步,以因應全球對 LCD 面板和照明系統日漸增加的需求。
 
Toshiba 亦對Bridgelux 進行股權投資,以期共同追求固態照明(Solid State Lighting,SSL)領域的技術創新;這項投資將進一步促進兩家公司于 固態照明 領域的發展,並以Toshiba先進的矽加工和製造技術開發能力為基礎,加速推動 Bridgelux 氮化鎵上矽 LED 晶元技術的研究與開發。
 
Bridgelux 執行長 Bill Watkins 表示:“Toshiba 與 Bridgelux長期攜手開發技術,而股權投資將使兩家公司形成更密切的策略關係,以達到促進降低照明市場中固態照明解決方案成本的共同目標。”
 
Toshiba 副總裁暨半導體與儲存裝置產品執行副總裁Makoto Hideshima表示:“我們很高興能與 Bridgelux 共同進行開發活動,達到業界最佳效能的8 吋氮化鎵上矽 LED產品。我們將持續追求最先進的技術,目標將技術進一步商品化。”

RSS RSS     print 列印         announcements 線上投稿        
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。