LEDinside: 從台日中韓歐美的廠商佈局看Micro LED發展趨勢

根據市場研究機構TrendForce旗下綠能事業處LEDinside最新報告「2019 Micro LED 次世代顯示關鍵技術報告」,Micro LED技術發展早期以專利布局為主,以SONY、Cree及University of Illinois為最早佈局的廠商及研究機構,直至2014年因APPLE收購LuxVue之後,進而帶動其他業者加速發展Micro LED領域。另外,全世界不同區域廠商對於Micro LED佈局也有不同的策略及發展,比如台廠以專業代工為主、韓廠以策略合作方式發展、日廠以集團內發展為主、歐美廠商多半以新創公司及學術機構佈局於該領域、中國廠商則發展較慢多半處於研究與評估階段。

Micro LED發展歷程

Micro LED的發展,早期以專利布局為主,在2000年至2013年期間屬於「萌芽期」,市場需求不明下僅有少數先驅者進行專利的佈局,以SONY、Cree及University of Illinois為最早佈局的廠商及研究機構, 2014年之後躍入「成長期」,主要原因是來自於APPLE收購LuxVue之後,並且展現出對於Micro LED顯示技術的信心,進而帶動其他業者及新創公司的加速投入。包括Uniqarta、PlayNitride、Rohinni、Mikro Mesa、QMAT、VUEREAL…等,這二年來已經出現面板廠的專利佈局,比如AUO、BOE 、 CSOT..等。其中,在眾多Micro LED的專利申請中,前三大專利的技術為巨量轉移技術、顯示模組技術及晶片製程技術,合計占所有專利的80%。

Micro LED供應鏈與廠商佈局分析

而這幾年來國際大廠也紛紛加入Micro LED的技術開發,大多是以購併、成立公司內部新事業單位或新創公司的方式,來進行Micro LED的發展,這些公司以本身既有的專精領域來做垂直或橫向的發展,大致可以分為LED磊晶、轉移、面板及品牌等方面,在LED磊晶方面,主要以LED磊晶廠發展最適合,而巨量轉移部份是技術門檻也是較多廠商投入的領域。台灣、中國、韓國、日本及歐美的廠商對Micro LED佈局程度也有所不同,比如:

台灣廠商多半是以專業代工為主,包括友達光電,晶元光電,以及PlayNitride等公司,都與國際大廠進行深入的合作。

中國大陸廠商在Micro LED的發展腳步較慢。最主要原因中國廠商偏好能夠快入導入量產的技術。因此對於Micro LED技術多半處於研究與評估階段。但部分廠商已經悄悄佈局與投資。

韓國廠商在顯示器領域的技術佈局完整。但是由於韓國廠商的主要資源均集中於OLED產品上,因此對於Micro LED技術則是採取策略合作的方式來參與該技術的開發與研究。

日本廠商在Micro LED領域,以SONY最為領先,並且佈局完整。但是由於日本廠商的供應鏈相對封閉,並且多半在集團內自製完成。因此其他的日本廠商主要是以設備商,或是材料商才有辦法參與其中。而值得關注的是,日韓廠商由於本身在大尺寸的電視領域已佔據主導地位,因此多半聚焦在大尺寸Micro LED顯示器技術的開發。

歐美廠商多半以新創公司以及學術機構佈局於該領域。近年來隨系統大廠逐漸投入開發該技術,並且透過轉投資與收購的方式進行專利佈局在巨量轉移的領域。至於面板領域,則是由於面板的投資金額過高,因此主要與亞洲的面板廠商進行合作開發。特別是歐美廠商主要聚焦在中小尺寸的Micro LED顯示應用,如手機,投影與穿戴裝置,因此技術局領域多朝此方面發展。

2019年1月 LEDinside 針對於2019 Micro LED 次世代顯示關鍵技術進行分析。如需詳細資料,歡迎來電或來信。謝謝您!

LEDinside 2019 Micro LED 次世代顯示關鍵技術報告
出刊時間: 2019年01月31日
檔案格式: PDF
報告語系: 繁體中文 /英文
頁數: 213
季度更新: Micro / Mini LED 市場觀點分析- 廠商動態、新技術導入、Display Week / Touch Taiwan 展場直擊 (2019年3月、6月、9月;約計10-15頁/季)

第一章 Micro LED 定義與市場規模分析
Micro LED 產品定義
Micro LED產值分析與預測
Micro LED產量分析與預測
Micro LED市場產量分析
Micro LED Display滲透率預測

第二章 Micro LED 應用產品與技術發展趨勢
Micro LED 應用產品總覽
Micro LED 產品應用規格總覽
Micro LED應用產品-頭戴式裝置規格發展趨勢
Micro LED應用產品-頭戴式裝置成本分析
Micro LED應用產品-頭戴式裝置出貨量與時程表預估
Micro LED應用產品-穿戴式裝置規格發展趨勢
Micro LED應用產品-穿戴式裝置成本分析
Micro LED應用產品-穿戴式裝置出貨量與時程表預估
Micro LED應用產品-手持式裝置規格發展趨勢
Micro LED應用產品-手持式裝置成本分析
Micro LED應用產品-手持式裝置出貨量與時程表預估
Micro LED應用產品-IT裝置規格發展趨勢
Micro LED應用產品-IT 顯示器裝置成本分析
Micro LED應用產品-IT裝置出貨量與時程表預估
Micro LED應用產品-車用顯示器規格發展趨勢
Micro LED應用產品-車用顯示器裝置成本分析
Micro LED應用產品-車用顯示器出貨量與時程表預估
Micro LED應用產品-電視顯示器規格發展趨勢
Micro LED應用產品-電視顯示器裝置成本分析
Micro LED應用產品-電視出貨量與時程表預估
Micro LED應用產品-LED顯示屏規格發展趨勢
Micro LED應用產品-LED顯示屏裝置成本分析
Micro LED應用產品-LED顯示屏出貨量與時程表預估

第三章 Micro LED專利佈局分析
2000-2018 Micro LED專利佈局-歷年專利家族分析
2000-2018 Micro LED專利佈局-區域分析
2000-2018 Micro LED專利佈局-技術分析
2000-2018 Micro LED專利佈局-廠商分析
2001-2018 Micro LED專利佈局-歷年巨量轉移技術專利家族分析
巨量轉移技術-專利技術總覽
巨量轉移技術-專利技術分類
2001-2018 Micro LED專利佈局-巨量轉移技術專利家族分析
巨量轉移技術-品牌廠商技術佈局分析
巨量轉移技術-新創公司與研究機構技術佈局分析

第四章 Micro LED 技術瓶頸與解決方案
Micro LED 產業技術總覽分析
Micro LED 技術瓶頸與解決方案總覽-製造流程
Micro LED 技術瓶頸與解決方案總覽-LED 磊晶與晶片製程
Micro LED 技術瓶頸與解決方案總覽-轉移技術/黏接技術/驅動與背板技術

第五章 磊晶技術瓶頸與挑戰分析
磊晶技術-解決方案
磊晶技術-磊晶架構與發光原理
磊晶技術-磊晶發光層材料與光效
磊晶技術-晶片微縮化的漏電問題造成光效降低
磊晶技術-設備技術分類
磊晶技術-設備技術比較
磊晶技術-外延片關鍵技術分類
磊晶技術-外延片關鍵技術分類-波長均一性
磊晶技術-外延片關鍵技術分類-磊晶缺陷控制
磊晶技術-外延片關鍵技術分類-磊晶外延片的利用率提升
磊晶技術-適用性分析

第六章 晶片製程技術瓶頸與挑戰分析
晶片製程技術-LED晶片微縮的發展
晶片製程技術-LED晶片生產流程
晶片製程技術-水平,覆晶與垂直晶片結構性之差異
晶片製程技術-微型化LED晶片(含藍寶石基板)切割技術
晶片製程技術-微型化LED晶片(不含藍寶石基板)切割技術
晶片製程技術-雷射剝離基板技術
晶片製程技術-弱化結構與絕緣層
晶片製程技術-弱化結構設計
晶片製程技術-巨量轉移頭設計
晶片製程技術-傳統LED與Micro LED晶片製程差異

第七章 巨量轉移技術瓶頸與挑戰分析
巨量轉移技術-轉移技術分類
巨量轉移技術- 薄膜轉移技術分類
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-拾取放置技術流程
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-非選擇性拾取技術
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-選擇性拾取技術以提升晶圓利用率
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-修補應用上的選擇性拾取技術
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-影響產能的因素
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-大型轉移頭尺寸提升產能的方案
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-轉移頭精準度要求更高
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-轉移次數和晶圓利用率比較
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-轉移運轉週期與產能比較
巨量轉移技術-薄膜轉移技術: Apple (LuxVue)
靜電吸附+相變化轉移方式
巨量轉移技術-薄膜轉移技術 : Samsung
晶片轉移與翻轉方式
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-凡得瓦力轉印技術介紹
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: X-Celeprint
凡得瓦力轉印方式
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: ITRI
電磁力轉移方式
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: Mikro Mesa
利用黏合力與反作用力轉移技術
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: AUO
靜電吸附力與反作用力方式
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: VueReal
Solid Printing技術
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: Rohinni
頂針對位轉移技術
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-流體組裝技術流程
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: eLux
流體裝配方式
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: PlayNitride
流體分散轉印技術
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-雷射轉移技術流程
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-雷射轉移技術分類
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: Sony
雷射轉移技術
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: QMAT
BAR轉移方式
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: Uniqarta
多光束轉移技術
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹: OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量轉移技術-薄膜轉移技術-滾軸轉寫技術流程
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹:KIMM
滾軸轉寫技術
巨量轉移技術- Micro LED 巨量轉移技術上面臨七大挑戰
巨量轉移技術-轉移製程良率取決於製程能力的控制
巨量轉移技術-適用性分析

第八章 檢測技術瓶頸與挑戰分析
Micro LED 技術瓶頸與解決方案總覽-檢測技術流程
檢測技術-檢測方式
檢測技術-電特性檢測
檢測技術-電致發光(EL)原理
檢測技術-光特性檢測
檢測技術-光致發光(PL)原理
檢測技術- 巨量檢測技術總覽
巨量檢測方式-光致發光檢測技術
巨量檢測方式-數碼相機光電檢測技術
巨量檢測方式-接觸式光電檢測技術
巨量檢測方式-非接觸式光電檢測技術
巨量檢測方式-非接觸式EL檢測技術
巨量檢測方式-紫外線照射光電檢測技術
巨量檢測技術差異性比較

第九章 維修技術瓶頸與挑戰分析
Micro LED 技術瓶頸與解決方案總覽-維修技術
Micro LED維修技術方案
維修技術方案-紫外線照射維修技術
Micro LED的壞點維修流程
維修技術方案-紫外線照射維修技術
壞點維修技術分析
維修技術方案-紫外線照射維修技術
轉移頭拾取之過程
維修技術方案-雷射熔接維修技術
維修技術方案-選擇性拾取維修技術
維修技術方案-選擇性雷射維修技術
維修技術方案-備援電路設計方案
Micro LED的主動缺陷偵測設計

第十章 全彩化技術瓶頸與挑戰分析
全彩化技術解決方案種類
全彩化技術解決方案- RGB 晶片色彩化技術
全彩化技術解決方案- RGB在相同晶圓上的量子光子成像 
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技術解決方案-量子點的色轉換技術
全彩化技術解決方案-量子點色轉換技術與應用
全彩化技術解決方案-量子井的色轉換技術
全彩化技術解決方案-總覽
全彩化技術解決方案-適用性分析

第十一章 接合技術瓶頸與挑戰分析
接合技術-技術分類
接合技術-表面黏著技術方案
接合技術-共晶波焊組裝技術方案
接合技術-異方性導電膠(ACF)方案
接合技術-異方性導電膠水(SAP)方案
接合技術-晶圓結合技術(Wafer Bonding)方案
接合技術-晶圓接合 (Wafer Bonding) 困難度分析
接合技術-Micro TUBE方案
接合技術-技術困難度分析
接合技術-適用性分析

第十二章 驅動技術瓶頸與挑戰分析
驅動技術-驅動方案分類
驅動技術-驅動IC的重要性
驅動技術-LED的伏安特性與光通量關係
驅動技術-開關電源控制技術分類
驅動技術-開關電源控制PWM與Duty Cycle的關係
驅動技術-顯示屏驅動方案-主動式驅動與被動式驅動比較
驅動技術-顯示屏驅動方案-掃描方式與畫面更新率
驅動技術-顯示屏驅動方案-小間距顯示屏問題點分析
驅動技術-TFT薄膜電晶體-液晶顯示器之驅動架構
驅動技術-TFT薄膜電晶體-主動式驅動 V.S 被動式驅動
驅動技術-TFT薄膜電晶體-影響顯示品質之干擾因素分析
驅動技術-OLED驅動方案-OLED的光電特性
驅動技術-OLED驅動方案-被動式驅動
驅動技術-OLED驅動方案-主動式驅動
驅動技術-Micro LED驅動方案-被動式驅動
驅動技術-Micro LED驅動方案-主動式驅動
OLED顯示器 vs Micro LED顯示器電源驅動模組差異性

第十三章 驅動技術瓶頸與挑戰分析
背板技術-顯示器背板的架構
背板技術-背板材料的分類
背板技術-整合式背板-玻璃基板與畫素開關元件運作原理
背板技術-整合式背板-玻璃基板與畫素開關元件特性
背板技術-整合式背板-玻璃基板的尺寸發展
背板技術-整合式背板-玻璃基板脹縮挑戰
背板技術-整合式背板-玻璃基板搭配開關元件應用現況
背板技術-整合式背板-玻璃基板畫素開關元件架構
背板技術-整合式背板-玻璃基板a-Si畫素開關元件製程
背板技術-整合式背板-玻璃基板IGZO畫素開關元件製程
背板技術-整合式背板-玻璃基板LTPS畫素開關元件製程
背板技術-整合式背板-玻璃基板畫素開關元件解析度差異
背板技術-整合式背板-玻璃基板畫素開關元件功耗差異
背板技術-整合式背板-玻璃基板畫素開關元件漏電性差異
背板技術-整合式背板-可撓式基板基板與畫素開關元件特性
背板技術-整合式背板-可撓式基板製作流程
背板技術-整合式背板-可撓式基板材料特性
背板技術-整合式背板- Silicon背板架構
背板技術-整合式背板- Silicon背板製作流程
背板技術-整合式背板- Silicon背板材料特性
背板技術-非整合式背板-印刷電路板外觀架構
背板技術-非整合式背板-印刷電路板結構
背板技術-非整合式背板-印刷電路板基材熱效應
背板技術-非整合式背板-印刷電路板基材差異性比較
背板技術-非整合式背板-印刷電路板製作挑戰
背板技術-非整合式背板-印刷電路板尺寸限制
背板技術差異性比較
背板技術-適用性分析

第十四章 Micro LED 供應鏈與廠商佈局分析
全球Micro LED主要廠商供應鏈分析
區域廠商產品策略與開發動態分析-台灣廠商
區域廠商產品策略與開發動態分析-中國廠商
區域廠商產品策略與開發動態分析-韓國廠商
區域廠商產品策略與開發動態分析-日本廠商
區域廠商產品策略與開發動態分析-歐美廠商

Taipei:

 

 

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