研究團隊開發出效率大幅提昇的非極性GaN LED

由科學家Shuji Nakamura、Steven DenBaars所主持的美國加州大學聖塔芭芭拉分校(University of California, Santa Barbara;UCSB)非極性GaN材料研究團隊,日前宣佈該團隊研發出的藍紫光InGaN LED,於200mA的高電流下創造出250mW輸出功率的新高紀錄,具備有41%的外量子效率(EQE)。

該團隊的成果是讓這款LED在20mA的電流下工作,可達到28mW的輸出功率,當時的波長最高為402nm,而外量子效率為45.4%,之後將電流提高到200mA時,輸出功率達250mW,外量子效率只有些微的下降程度,達到41%。

過取以來,透過生長的方式打造非極性GaN LED被視為提高效能的手段,可是目前非極性GaN LED的效率都遜於傳統的LED架構,該研究團隊透過日本三菱化學提供的m面GaN襯底,是這次研究獲得突破性成果的主要原因。三菱化學是採用HVPE方法產生的C面GaN進行切片獲得m面GaN襯底。

該研究團隊仍致力於打造更加效能的技術,並已經展開透過標準製程來打造新晶片的工作,設法提高產品效率。不過,若是要商業化,得克服m面GaN襯底的產量與價格問題,加上m面GaN襯底的尺寸非常小,未來如何應用傳統的MOCVD設備來打造又不至於成本過高,是待克服的問題。

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