美國LED大廠Cree日前宣佈，旗下的材料事業已經成功地將無微管(ZMP) 的SiC襯底尺寸做到4英吋，約合10公分的長度，將有助於n-type型態的發展，也對氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）產品長期的效能表現有幫助。不過Cree認為，在2008年底之前，該項技術還不會進入全面商業化的階段。

Cree材料事業副總裁Cengiz Balkas強調，儘管這項新的科技打造出的高品質材料是Cree公司策略重要的環節，但目前現有的4英吋SiC晶圓就已經充分滿足目前的應用。他認為，目前客戶對現有產品效能的需求良好，倘若他們需要無微管(ZMP)產品，該公司就會開始進行生產。

他表示，n-type型態的材料是以SiC為基礎產品的重要發展，預期初步應用將會是SiC-Schottky管的應用方面。

現階段SiC是GaN 晶片生長時的襯底，但在生長時會含有結晶的微管，而使得晶圓打造出的產品表現降低，並減少可用的晶圓面積。

Cree先前能夠提供3英吋的無微管(ZMP)晶圓，但如果是生產4英吋的ZMP晶圓，最終將進入量產階段，使得晶圓產出倍增。而為了維持晶體的品質，又要把微管消除，該公司盡了很大的心力。

目前美國陸軍（US Army）與美國國防遠景研究規劃局（DARPA）協助發展了ZMP，Cree與美國軍事單位的合作進一步發展出更好的產品，也為下一代的SiC襯底技術奠定基礎。