GaN-on-silion LED開發方案得到英國支持

英國政府日前對基於LED的固態照明燈具的節能認知有所提高,并向由Filtronic、Qinetiq和劍橋大學組成的團隊簽訂了一份300萬英鎊的合約,以支持該團隊項目的開發,實現低成本LED晶片的產製。

Filtronic公司是一家制造手機和國防用GaAs射頻電路的公司,此次與Qinetiq和劍橋大學合作開發基于6英寸硅襯底的GaN發射器,目的在于通過研究大直徑襯底和成熟量產的一致性,來實現低成本芯片的制備。公司表示,如果該項目獲得成功,英國將可能首次成為量產LED芯片的基地。

一般而言,目前實現商業化的GaN LED都是在藍寶石或硅化硅(SiC)襯底上制備出來的,這兩種襯底都有一定的缺點:藍寶石在向大尺寸晶片生產上有一定困難,而SiC相對比較昂貴。目前GaN-on-SiC LED的生產還處于開發階段,Cree也開始將其GaN-on-SiC LED的生產向4英寸晶片轉移,人們普遍認為日本Shimei Semiconductor公司正在將其擁有的GaN-on-silion制備方法商業化,盡管該公司網站還未有任何產品披露。

合作團隊表示,6英寸襯底開發GaN LED的新穎方法潛力很大,該項目將使固態照明路線前進一大步,為英國進入未來主流市場提供了一條很好的路徑。
RSS RSS     print 列印         announcements 線上投稿        
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。