OSRAM發表綠色LED,改善了「Droop」現象

近日,德國歐司朗光電半導體(OSRAM Opto Semiconductors)在「ICNS-7」展會上發表一款綠色LED。該款綠光LED晶片在1A驅動下,光通量爲191lm、發光效率爲48lm/W、波長爲527nm。

晶片尺寸爲1mm,採用350mA的電流驅動時,光通量爲100lm、發光效率爲81lm/W、波長爲532nm。

歐司朗還試產了尺寸爲460μm×255μm的芯片。在20mA驅動時發光效率爲107lm、振蕩波長爲532nm。這兩種産品有效改善了「Droop」現象(藍色LED、綠色LED等將InGaN作爲發光層的LED在提高輸入電流密度時發光效率出現下降的現象),亮度得到大大提高。
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