據日經BP社報導，韓國三星SDI開發出了採用氧化物半導體IGZO（In-Ga-Zn-O）材料的TFT12.1英吋有機EL面板，並在「SID 2008」上公佈了技術細節。該面板在玻璃底板上形成了採用氧化物半導體的有源矩陣型TFT陣列和有機EL元件。 
此次開發的有機EL面板的圖元為1280×768圖元（WXGA），解析度為123ppi。亮度為300cd/m2，對比度為2萬：1。採用底部發光結構，光從TFT底板側取得。有機EL材料採用的是低分子材料。但紅色用磷光材料，綠色和藍色採用螢光材料。
TFT的掩膜數量為7片。圖元間距為69μm×207μm，圖元電路由2個TFT和1個電容器構成。採用底柵結構，柵極、源極及漏極的電極材料採用Mo，柵極絕緣膜採用SiOx/SiNx，並使用了現有的光刻製造技術。IGZO TFT的遷移率為17.2cm2s，開關比為108以上，亞閾值斜率（S值）為0.28V/decade。
三星SDI指出，採用IGZO的TFT其優勢在於可以著手量產大尺寸玻璃底板。使用此次的TFT製作方法，甚至可以支援第8代底板。
