據悉，從事紫外線LED業務的日本Nitride Semiconductor開發出施加100mA電流時，光功率高達48mW的表面封裝型紫外線LED燈「NS375L-4SFG」。

據暸解，其輸出波長為375～380nm。原產品「NS375L-7SFF」施加20mA的電流時，光功率為3.5mW。晶片尺寸增大到4倍以上，從原產品的280μm×280μm擴大到目前的600μm×600μm。所開發的紫外線LED燈的角度為120度。外形尺寸為4.2mm×4.2mm×1.3mm。工作溫度範圍為-30～+80℃。將於2008年12月開始樣品供貨。