在日本筑波大學3月末的09年春季「第56屆應用物理學聯合演講會」上，日本產業技術綜合研究所發佈開發出了用金剛石作半導體的深紫外LED。
深紫外LED採用在2mm見方的金剛石底板上層疊p-i-n結構金剛石半導體的設計。採用發光波長為235nm深紫外線，注入320mA電流時的輸出功率為30μW。產綜研能源技術研究部門主要研究員表示，目前已接近實用水平。
產綜研表示，該LED具有兩大特點。
（1）即使接通大電流發光效率仍繼續增加。比如即使通過直徑為120μm的電極接通電流密度超過2000A/cm2的電流，發光效率也不會達到飽和，而是繼續升高。目前，使用競爭材料AlGaN類半導體的深紫外LED的工作電流密度最大約為500A/cm2。
（2）耐高溫。即使將溫度從室溫提高到420℃，發光強度也不減弱，而是繼續增強。金剛石LED與普通LED不同，用「激子(exciton)」的產生作發光原理。激子是類似粒子一樣運動的電子•空穴對。不過，一般情況下並不耐熱，大部分激子很快就會破裂。而金剛石LED產生的激子「非常穩定，即使在600℃的溫度下也不破裂」（產綜研能源技術研究部門電力能源基礎部特別研究員牧野俊晴）。這就是耐高溫的原因。
此前，用作金剛石LED底板的金剛石價格非常高，而且只能得到數mm見方的金剛石底板，無法達到實用化水平。對此產綜研研究院牧野等表示：「目前正在開發在矽晶圓上層疊多結晶金剛石半導體膜的技術。效率也只比此次開發的LED低1位數。由於採用矽和甲烷等極為常見的材料，所以投入實用的話，能以非常低的成本製造金剛石LED」。
