日本大阪大學研究生院工學研究系材料生產科學專業教授藤原康文，試製出利用GaN系半導體的紅光LED組件。藤原康文教授介紹，利用GaN系半導體的藍光LED組件及綠色LED組件現已達到實用水平，但試製出紅光LED組件「還是全球首次」。如果可與藍光LED組件及綠光LED組件一樣，利用GaN系半導體製造出紅光LED組件，便可在相同底板內實現RGB的三原色。這樣一來，將有助於實現像素尺寸較小且精細度較高的LED顯示器。
此次，通過在發光層上利用添加稀土類元素「銪(Eu)」的GaN，實現了紅光LED組件。此前也進行過向GaN添加Eu以獲得紅光的研究，但原來採用離子注入法添加Eu，通過光致激發(Photoexcitation)獲得紅光。而藤原的研究小組採用MOCVD法添加Eu，同時通過注入電流成功地獲得了紅光。
該組件在驅動電流為20mA，驅動電壓為6V時，光輸出功率為1.3μW。雖然光輸出功率尚小，但作為LED組件，如果進一步優化電極結構等，預計還可大幅提高光輸出功率。
