Rensselaer Polytechnic Institute（RPI）與三星電機（Samsung Electro-Mechanics）合作開發極化匹配LED，將照明輸出提高20%，同時表徵LED轉化效率的參數，將電光轉換效率提高25%。
新器件顯著降低了「效率沉降」現象，而該現象正是LED器件效率的主要限制因素。眾所周知，當低密度電流流過LED 時，其效率最高。但有些應用，比如亮度更高的燈泡，需要採用高功率器件，這樣LED就會損失效率。儘管效率沉降的原理還沒有完全清晰，但已有研究表明，一大部分原因來自於電子洩漏。
該研究項目的主管Fred Schubert介紹，我們追蹤到電子從發光的有源區逃逸的過程。在有源區，我們希望電子保持在空穴裡，這樣可以重組並發光，但如果載流子離開了活性區，很明顯將不再有重組發生。我們認為這是效率沉降的源頭：載流子之一離開了活性區，這就形成了活性區的漏電。」
由於目前的高亮度LED都工作在超過效率峰值的高電流密度範圍，因此這種現象非常普遍。很自然的想法是降低工作電流密度到效率峰值區域，但其亮度無法接受，因此這一難題也成為LED應用的巨大障礙。
其他研究人員也嘗試過電子阻擋層，但結果卻不盡人意。PRI的研究小組——由學者、工業界夥伴和學生組成——則採用了極化匹配的概念。他們在有源區使用四極性材料，採用四極性和三極性材料的複合物，用不同方法降低極性，每種方法都得到了積極的結果。
新的LED具有全新設計的極性-匹配有源區，可以讓器件在高電流密度區域獲得效率峰值。他們研究了LED中產生光的有源區，研究人員發現，裡面帶有極性失配的材料，很可能就是電子洩露，也就是效率降低的原因。更多的研究顯示，通過採用不同的量子障礙設計，可以極大的降低極性失配。採用傳統 GaInN/GaInN 來替換LED有源區的GaInN/GaN層。可以獲得更匹配的極性，降低了電子洩露和效率沉降。
LED中傳統GaInN/GaN有源區和新型極化匹配GaInN/GaInN有源區的能帶圖
（來源：Rensselaer Polytechnic Institute）
Schubert表示，「氮化物與硅和砷化鎵不同，氮化鎵具有較高的內部電場，這是個麻煩。我們的極性匹配結構恰好長在c面藍寶石襯底上，這樣可以在有源區極大的降低電場。結果，抑制了效率沉降現象，發光輸出功率提高約20%，電光轉換效率提高了約25%。對於LED產業來說，這是令人非常驚喜的數字。為了將效率提高5%，業界都願意做任何努力；20%是非常巨大的改善。」
Schubert指出，對於效率沉降的單一原因，學術界還沒有取得一致。「下一步是找出背後的物理原因，並全面地解除造成效率沉降的原因，詳細瞭解所有的方面。」該研究小組將繼續探索可以進一步改善器件的其他可能的LED結構。LED還可以實現其他附加功能，例如可改變的發光性能、與太陽光相似的顏色和溫度，這樣可以獲得更接近自然的全光譜照明。
「我們可以調製光譜，這樣可以得到自然的、可調節的光源，並可用來處理數據。這是我們的目標之一：產生光以及處理數據的雙重功能。想像一下，機場候機樓的照明燈、路上的交通信號燈，除了照明功能外，還可以用來通訊；建築物裡的光源可以帶有房間號和信息，可以追蹤建築物內的物體。智能光源可以實現這一切。這是我們的長遠目標。」Schubert期待，與醫療保健、交通系統、數字顯示和計算機網絡一樣，基於LED和固態照明的照明器件可以掀起一輪新的環保、節能和低成本浪潮。
