日前，韓國教育科學技術部表示，由韓國國內研究組將第二代照明光源的InGaN 青色LED的發光效率最高增加了30%以上的源泉技術開發成功。

此次開發的技術與原有的LED相比，不會低減電器的特徵，依靠鋅氧粉納米桿的光導波路現象，增加30%以上的發光效率。

光州科技院的鄭建永教授指出，本次研究結果從材料費或工程費方面，比較簡單地將光導波管作用的鋅氧粉(ZnO)桿在低溫下，不會為LED電極構造帶來影響，同時又使之生長，是將發光效率跨越性提高的技術。

他進一步預計，今後的研究如果和奈米技術整合，2015年可望達到1,100億美金的收益，並在LED照明市場有一定影響。