近日，美國玫瑰街實驗室宣布，首個證實基於矽片可生產長波LED設備，較傳統藍寶石或SiC襯底具有很大的成本優勢。與紫外線和藍光LED相比，由於量子效率的下降，製造綠光LED以及長波氮化物基LED極具挑戰性。目前，將由玫瑰街實驗室的姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)負責綠光LED和長波LED的封裝。
InGaN-on-Si長波LED具有高強度、低能耗和商業成本極低的優點，預計未來2-3年中該技術可實現在200毫米硅襯底上生產InGaN-on-Si的LED設備，商業前景廣闊。
此外，玫瑰街實驗室還初步證實了可將光線調整為多色光和白光光譜。
美國玫瑰街實驗室位於亞利桑那州鳳凰城，是一家產品和服務供應商，為私人所有，服務於可再生能源和半導體市場。
姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)在封裝半導體功率器件方面具有豐富的經驗，其分佈于全球的製造廠將為該實驗室提供專屬的LED設備封裝解決方案。
