在近日舉行的2011年度中國國家科學技術獎勵大會上，大連美明外延片科技有限公司、中國科學院物理研究所、清華大學和大連路美芯片科技有限公司聯合研發的《GaN基藍綠光LED的關鍵技術及產業化》項目獲得了2011年度中國國家科學技術進步獎二等獎。

2000年初，美明外延片公司和路美芯片與中國科學院物理研究所和清華大學進行產業化的戰略研發合作。先後攻克了制約GaN基藍綠光LED關鍵技術與產業化發展的技術瓶頸，其中包括：外延材料的高位錯密度、InGaN/GaN多量子阱內量子效率低下、光提取效率低下和器件可靠性尚需完善等。在關鍵技術和產業化實施方面獨立取得了多項核心自主知識產權，產品性能均已實現了與國際先進技術的同步，其中量子阱結構設計、布拉格反射鏡、電容式結構等技術處於世界領先水平。

目前，，該項目已擁有了中國早期的LED核心專利，並積累了紮實的產業經驗。基於藍光LED的白光光效>120lm/W，世界公認的技術難點綠光LED的綜合性能指標達到同類領先水平，成功實現了藍綠光LED產業化，已發表SCI論文50餘篇，申請發明專利30餘項，授權14項。

同時，大連美明外延片和路美芯片公司建成了LED芯片外延片的研發、檢測、生產線和現代化廠房；先後承擔中國國家半導體照明863專項、工信部電子發展基金招標等研發及產業化項目10餘項；擁有涵蓋從上游外延片磊晶生長到中游芯片製造工藝等核心專利技術；先後獲得中國國家和省市級科技獎勵6項。