科銳SPICE模型幫助電力電子設計工程師量化仿真在電路系統設計中 碳化硅MOSFET所帶來的效益

碳化硅（SiC）功率器件的市場領先者科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣佈推出支持業界首款用於碳化硅MOSFET功率器件且符合全面認證的SPICE模型。新型SPICE模型能夠幫助電路設計人員輕鬆地進行效益評估。與同級別的傳統硅功率開關器件相比，科銳碳化硅Z-FET™ MOSFET功率器件能夠實現更高的效率。

科銳碳化硅MOSFET器件擁有與傳統硅器件顯著不同的特點，因此需要一個具有碳化硅特性的模型進行精確的電路仿真。基於科銳技術且不受溫度影響的SPICE模型能夠與LTspice仿真程序兼容，使得電力電子設計工程師能夠在電路系統設計中可靠地仿真評估科銳CMF10120D 和CMF20120D Z-FET器件先進的開關性能。

科銳碳化硅MOSFET器件的開關頻率較採用 IGBT 的解決方案可高出10倍。由於擁有更高的開關頻率，便能夠使用較小磁性和電容性的元件，從而可以減小電力電子系統的整體尺寸，降低重量和成本。

科銳碳化硅MOSFET SPICE模型作為科銳全套產品之一，與輔助工具、技術文件以及可靠性信息一起，為電力電子工程師提供必要的設計資源，從而推動碳化硅功率器件在新一代電源系統中的應用。

如需下載科銳碳化硅MOSEFT SPICE模型，敬請訪問：www.cree.com/power/mosfet.asp。此外，客戶也可通過以上網址下載產品說明、設計指導建議以及索取樣品。如需進一步瞭解科銳碳化硅功率器件，敬請訪問：www.cree.com/power。