晶能光電矽基大功率LED晶圓量產入選「全球半導體照明2012年度新聞」

近日,國際半導體照明聯盟(ISA)在廣州舉行年度成員大會,並正式發布了“全球半導體照明2012年度新聞”評選結果。晶能光電作為“全球首家量產硅基大功率LED晶元的公司”成功入選了“全球半導體照明2012年度新聞”。

同時入選ISA2012年度新聞的還包括:半導體照明聯合創新實驗室的建立,科銳SC3技術平台,全球首家GaN 襯底GaN發光晶元使LED技術進入新階段:LED2.0,菲利普在貴陽村莊設立太陽能路燈等,晶能光電全球首家硅基大功率LED晶元量產的新聞按照得分高低排名第二。

“全球半導體照明年度新聞”是全球半導體照明領域最具影響力的新聞事件,此次新聞事件體現了硅基大功率LED晶元量產對於半導體照明的重要意義,也再次確認晶能光電在硅基LED晶元研發製造方面的全球領先地位。

另外,第九屆中國國際半導體照明展覽會暨論壇也于2012年11月5日至7日在廣州保利世貿博覽館舉行。晶能光電公司展示了包括28mil、35mil、45mil、55mil在內的多款硅基大功率LED晶元產品,通過此次展會讓更多人進一步了解硅基LED晶元產品。

晶能光電擁有的硅基LED技術,具有完整的自主知識產權,目前已申請或獲得國際國內各種專利200余項,在藍寶石襯底、碳化硅襯底之外,形成了第三條半導體照明技術路線。相比藍寶石襯底、碳化硅襯底技術,晶能光電目前硅襯底LED技術生產的晶元具有如下三大優勢:(一)具有原創知識產權,產品可銷往國際市場,不受國際專利限制;(二)具有優良的性能:器件散熱好、可在大電流密度下工作、抗靜電性能好、壽命長、光斑形狀好;(三)器件封裝工藝簡單,垂直結構晶元,適合做熒光粉直塗工藝,節約封裝成本。

 

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