日商AIR WATER選用AIXTRON愛思強系統生產GaN-on-SiC-on-Si

愛思強股份有限公司29日宣佈,日本安曇野市的AIR WATER株式會社告稱已成功安裝一套8x6英吋規格的全自動的AIXTRON愛思強AIX G5 HT行星式反應器,用於氮化鎵外延層的生長。

AIR WATER之所以選用AIXTRON愛思強MOCVD系統,是基於該系統能夠實現優越的材料均勻性,這是發揮愛沃特在氮化鎵外延基材方面的優勢的一個關鍵要素。在系統安裝完成後,該公司已宣佈今年內推出在矽基材上生長的碳化矽基氮化鎵,充分發揮該系統的卓越生產效率。為應對日後的市場需求,愛沃特也正考慮將該系統升級為AIXTRON愛思強AIX G5+系統,升級後的系統能夠處理5x200毫米(8英吋)規格的矽基材。

與傳統的矽基材相比,增加的碳化矽層具有能在氮化鎵的初始成核過程保護矽基材的優點。碳化矽本身的晶體結構使得其被視為氮化鎵生長的理想模板。因此,矽基碳化矽基材能夠生長出大面積、晶體質量卓越的氮化鎵層。在廣泛的高功率及LED應用中,這一特性能帶來效率的提高和實現成本節約。

AIR WATER是一家日本領先的工業氣體製造商,作為半導體氣體業務的一部分,該公司已針對功率器件和LED應用開發出在矽基上生長的碳化矽。在此方面,該公司已在8英吋規格大的矽基材上成功生產出高品質3C-SiC (111),同時也已宣佈推出此類產品,以滿足就製造LED及電力電子應用的電子器件所需的氮化鎵外延生長。

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