全球領先的半導體沉積設備商AIXTRON愛思強，2014年10月30日宣布，日本製造商昭和電工（Showa Denko K.K.）運用AIXTRON愛思強最新系統成功製造碳化矽（Silicon Carbide，SiC）磊晶圓。新的AIX G5 WW（溫壁Warm Wall）系統，可用於處理8片150 mm及12片100 mm碳化矽基材。這是目前市場上最大的生產系統，能最大限度地提升產量、降低平均每片晶圓的運行成本。
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AIXTRON愛思強「AIX G5 WW」系統 Photo Credit: AIXTRON |
昭和電工的碳化矽磊晶圓產能在市場上數一數二，自2013年起由4吋（直徑100 mm）轉換至6吋（直徑150 mm）進行生產，目前正使用AIXTRON愛思強設備拓展6吋碳化矽產能，該技術可大大降低生產成本。
AIXTRON愛思強的日本服務與工藝團隊，使AIX G5 WW系統滿足客戶緊迫的時間要求。設備於2014年第一季安裝完成後，隨即在同年4月上半月投入生產。
碳化矽生長過程要求片上溫度需達到1600°C以上。根據行星式（Planetary）設計概念，每片晶圓在磊晶過程中進行同一水準層流旋轉，以達到AIX G5 WW最卓越的均勻性。因此，該系統對晶片層的厚度和摻雜均勻度，進行非常精確的工藝控制，使碳化矽缺陷密度處於極低水準，從而達到高產量要求。
碳化矽高功率設備確保電力電子系統高效節能。600至3.3 kV的碳化矽電晶體和二極體設備均做為電力輸送，並設計成為可應用於太陽能工業和牽引能源變換器的直流變換器和逆變器。
