德國AIXTRON愛思強股份有限公司（法蘭克福證券交易所：AIXA；納斯達克：AIXG）今日宣佈，一家大型存儲器製造商驗證認可其QXP-8300原子層沉積技術（ALD）小批次生產系統適合各種先進存儲器應用的高介電係數氧化膜，包括3D結構元件。
AIXTRON愛思強在矽半導體製造科技達到里程碑
AIXTRON愛思強美國分公司副總裁兼總經理Bill Bentinck表示，「我們非常高興地瞭解到，我們的客戶已經完成對QXP-8300 ALD系統是否適合製造最先進高性能存儲元件的評估。QXP-8300 ALD系統能夠製造具備卓越電子和元件性能的先進薄膜。AIXTRON愛思強期望以提供生產設備，進一步支持客戶的存儲器開發計劃，以解決產業快速發展帶來的挑戰。」
隨著半導體存儲單元的尺寸不斷縮小，製造商需要更先進的技術，用於沉積精密介電層、金屬和非易失性存儲材料。AIXTRON愛思強QXP-8300 ALD系統包括已獲專利的三噴頭（TriJet）汽化器技術，該技術與獨特的近耦合噴淋頭設計結合，可使在製造超高介電值的介電和金屬氮化物的過程中，能夠按實際需要使用低蒸氣壓前驅體，從而能夠提高性能。
關於AIXTRON愛思強
AIXTRON愛思強是半導體產業領先的沉積設備供應商。該公司成立於1983年，總部設在德國黑措根拉特（靠近亞琛），並在亞洲、美國及歐洲設有子公司及銷售辦事處。該公司的技術解決方案被全世界廣泛的客戶所使用，以製造先進的電子和光電子應用元件，這些元件乃基於化合物、矽或有機半導體材料。該元件被廣泛用於創新應用、技術及行業，其中包括LED應用、顯示技術、數據存儲、數據傳輸、能源管理和轉化、通訊、信號燈和照明技術以及其他尖端技術。
