昨（7）日晚間，乾照光电發佈公告稱，為充分發揮公司已有的技術優勢、設備優勢、工藝優勢，提升產品結構，加快實現科技成果的轉化，公司擬出資人民幣159,670.49萬元建設VCSEL、高端LED晶片等半導體研發生產項目，其中銀行貸款85,096.20萬元，其餘由公司以其他方式自籌出資，該專案由公司全資子公司廈門乾照半導體科技有限公司負責承辦。

據公告顯示，專案安排在2018年啟動，2019年上半年開工建設，建設期預計22個月，2021年建成投產，2022年實現滿產運行。項目投產後，預測達產後年銷售收入96,628.29 萬元，達產年利潤總額23,690.91萬元，達產年投資利潤率17.71%，投資利稅率18.63%，全部投資所得稅後財務內部收益率為21.72%；投資回收期6.01年。

乾照光电表示，砷化鎵/氮化鎵半導體器件主要依附於MOCVD進行外延生產，技術含量高；在軍用和民用無線通訊等領域需求旺盛，而相關國內廠商稀缺，國家正大力支持該行業的迅速發展。乾照光电憑藉在砷化鎵和氮化鎵光電器件領域多年研發和生產的積累，通過本項目的建設，將有助於乾照光电在其他市場領域的突破，對公司的戰略發展具有重要意義。

此外，本專案的實施，可以對地區的半導體發展有明顯的推動作用。同時，該專案的建設對廈門打造半導體高端產業集群計畫的實施具有重要意義。在環境保護方面，本項目利用原有環保體系，完全可以達到環保標準，不會對環境造成影響。