對應Micro LED製程技術上的各種挑戰，全球廠商們都不斷開發創新的Micro LED技術。各業界專家今年也在Micro LEDforum 2019上齊聚一堂，介紹一系列Micro LED 應用的技術斬獲。

工研院 (ITRI) 下的巨量微組裝產業推動聯盟 (CIMS)的方彦翔，於大會分享該聯盟的發展現況。ITRI 自 2014 年起便一步步發展其全彩 Micro LED 顯示技術，並已研發不同結構的Micro LED晶片，包含有藍寶石基板及非藍寶石基板的晶片。若無藍寶石基板，工研院已成功研發大小不超過 5*5μm的 Micro LED晶片，EQE可達 5%。

(工研院巨量微組裝產業推動聯盟，方彥翔)

工研院也以多種Micro LED為基礎，探索符合不同應用需求的方案。Micro LED RGB 顯示屏方面，工研院已能達成轉移後99%的良率，維修後並可達成100%的良率。工研院在SID 2019上展示過該顯示屏。目前也致力發展Micro LED電競顯示器與 AR 顯示器，以及整合包含感測零件之 Micro LED 應用，如可部署於可穿戴裝置與汽車應用的透明顯示器等。

(Eugene Chow, PARC)

研究型公司PARC分享自身微組裝印表機 (“Micro Assembler Printer”) 技術如何應用在 Micro LED 顯示器發展上。主導 PARC微系統研究小組的科學家兼總負責人Eugene Chow指出，該公司的技術融合了錼米技術與數位列印。這種技術方法對 Micro LED 晶片施加電泳力場，並能藉由靜電液體組裝一次轉移、組裝完成。接著可將該組裝 Micro LED 陣列轉移至最終基板上。

藉此方法，便可將不同大小的 Micro LED 晶片與微處理器等其他材質，依照不同應用的需求，使用不同方式一次轉移並組裝完成。現場播放的幾段影片，示範了三種異質晶片如何在短時間內同時被安置到指定的位置上。在速度跟數量上，PARC可達成每小時組裝〖10〗^7- 〖10〗^9顆 10 μm*15μm大小的晶片。

Plessey分享了GaN-on-Si Micro LED 的特色。與氮化鎵上藍寶石晶圓相比，氮化鎵上矽晶圓厚度上可以更薄，並且基板移除上更為容易，對 Micro LED 生產尤其重要。另外，即便晶片更為小巧，其效率表現仍然居優。

(WeiSin Tan, Plessey)

Plessey 則使用量子點(QD)技術，結合藍光源與紅、綠量子點，達成全彩效果。現階段的技術挑戰則在於，如果Micro LED像素小於 5μm，當前的量子點材質便無法適用。磊晶片及進階產品總監WeiSin Tan博士也分享了自家技術的發展近況，提到Plessey的 0.7 吋 Micro LED 顯示器能在僅僅8μm像素間距下達成 1080*1920 的解析度。